东芝推出第三代SiC MOSFET

8月30日，东芝宣布推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已开始出货。

新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。

Source：东芝

东芝的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 推出了 650V 和 1200V 电压产品的选择，可为开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源 (UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等应用提供更低的功耗并支持更高的功率密度。内置SBD实现低VF和高可靠性；可以显着改善导通电阻和开关损耗；抗噪性高，使用方便。