国博电子氮化镓项目通过验收
来源:化合物半导体市场发布时间:2022-08-292234浏览
询问 AI近日，国博电子“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化”项目通过验收。
国基南方消息称，该项目针对面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化，开发了基站应用的GaN芯片及模块的设计技术、宽带预匹配技术、自动封测批产技术，及GaN器件的模型提取、Doherty准单片电路设计以及数字预失真处理技术，形成输出功率几瓦至几百瓦的系列产品并实现了批量应用。
产业化建设方面，配置多台套GaN芯片及模块射频/DC测试系统、可靠性试验设备和自动封装设备，形成年产2000万只GaN芯片和模块生产线，解决国内移动通信关键芯片急需。
目前，国博电子正在加快推进“射频集成电路产业化”项目建设，针对5G及新一代移动通信应用的射频集成电路，进行覆盖芯片设计、芯片封测的产业链建设，投产后将为国博电子带来新一轮强劲增长。
今年7月，国博电子在上海证券交易所科创板上市，市值达388亿元。
国博电子成立于2000年，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，覆盖军用与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路相关产品的领先企业。
公司直接控股股东为国基南方，持有公司 39.81%的股份。中国电科通过国基南方、中国电科五十五所和中电科投资间接控制公司61.62%的股份，为公司实际控制人。
本次IPO，国博电子公开发行4001.00万股，募集资金283590.88万元，其中14.75亿元投入射频芯片和组件产业化项目，剩余12亿元用于补充流动资金。
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