8月23日，企查查资料显示，阜阳欣奕华材料科技有限公司（简称“阜阳欣奕华”）发生工商变更，新增多名股东，其中包括华为旗下产业投资公司——深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙），持股份额为3.8057%。
这并非华为哈勃第一次进军光刻胶。去年8月，华为哈勃3亿元增资了一家光刻胶企业徐州博康，为其历史上最大单笔半导体产业链投资。
资料显示，阜阳欣奕华成立于 2013 年 5 月，隶属于欣奕华科技集团，主营业务包括显示光刻胶、半导体光刻胶、OLED 材料、半导体湿电子材料和前沿材料。
其光刻胶业务的主营产品包括BM、RGB、OC、PS、低温光刻胶等，已拥有光刻胶相关专利103项；拥有高阻抗、高分辨率、高色域、低温固化、量子点等全方位技术对应能力；目前，负性光刻胶年出货量超两千吨；除负性光刻胶之外，阜阳欣奕华的低温彩色光刻胶开发项目，可实现85℃的低温固化，并已通过AR/VR产品客户端验证。
阜阳欣奕华表示，预计到2025年，公司LCD光刻胶出货量可达到7000吨/年，2021~2025年复合增长率预计将达45%。
值得一提的是，在半导体光刻胶方面，欣奕华也有了新动态。阜阳欣奕华CEO黄常刚表示，阜阳欣奕华正着力将半导体用光刻胶产品化。目前，I线和KrF、ArF光刻胶的开发已进入评测阶段，预计在2024年初可以实现少量出货，后续将考虑导入KrF、ArF研发及生产时使用的曝光装置。
国内高端IC光刻胶处于验证阶段整体来看，国内半导体光刻胶中的ArF/KrF等产品仍处于技术积累和验证阶段，尚未实现规模化量产导入。
光刻胶为光刻工艺的关键耗材，决定芯片制造的关键尺寸。根据光源波长分类，光刻胶可分为紫外宽谱、g线、i线、KrF、ArF、EUV 6大品类，波长越短通常可制造的最小尺寸越小，技术难度越高。
KrF曝光波长为248nm，适用于8吋晶圆的制造；ArF曝光波长在193nm，适用于8吋、12吋晶圆的制造；EVE光刻胶对应13.5nm曝光波长，适用于12吋晶圆的制造。
当前，半导体制程不断升级，7nm芯片已经成为市场主流产品。除EUV光刻胶外，ArF光刻胶也可用于7nm制程中，但无法用于7nm以下制程中。这意味着，要进入7nm以下制程，我国在EUV光刻胶也得发力。
据报道，中金公司表示，光刻胶的壁垒主要在于：1)配方和经验的长期积累；2)原材料的稳定供给；3)客户黏性和认证周期长；4)前期资金和人才投入大。
据了解，目前，国内厂家在ArF/KrF等品类方面处于技术积累与验证极端。晶瑞股份KrF（248nm深紫外）光刻胶完成中试，产品分辨率达到0.25～0.13μm的技术要求；南大光电自主研发的ArF光刻胶产品在逻辑芯片制造企业55nm技术节点产品取得认证；上海新阳在互动平台上表示，公司已经具备了Arf光刻胶的生产能力，并且取得了客户的订单。 
