北京经开区原管委会主任梁胜被查;新能源、光储产业加码,东微半导半年度业绩再次领跑功率半导体赛道;车用半导体短缺到何时？看车企表态

对部分代工工艺提价8%，和意法半导体（ST）联合宣布在法国新建12英寸晶圆厂，与高通联手在美国本土扩产.......近日，格芯抢媒体头条的力度不输于纯代工厂的同行领头羊台积电。

其中值得关注的各类消息中，格芯与ST建新厂的信息量非常大。官宣内容提到，到2026年，新厂满载的话能达到年产62万片，其中ST和格芯产能分配为42% vs 58%，并且可以充分利用ST另外一座在Crolles晶圆厂的现有设备，并且产品将升级格芯22FDX（即22nm）平台——从22nm演进到18nm；另有报道称，该厂投资约40亿欧元，其中一部分资金来自法国政府的投资，是欧洲《芯片法案》的一部分。

也许，这则新闻最关键的一句话是“扩大和增强FD-SOI技术的产业链和生态圈”。

格芯市场活跃度的提升，以及FD-SOI的不屈和倔强，背后有着怎样的底气？

后28nm时代，FD-SOI的纠结

后28nm时代，在摩尔定律的技术演进路线指引下，逐渐形成了FD-SOI和FinFET（Fin Field Effect Transistor）两条边界清晰的生态圈。

FD-SOI（fully depleted silicon-on-insulator）即全耗尽型绝缘体上硅的平面工艺技术，主要依赖于两项技术创新。首先，在衬底上面制作一个超薄的埋氧层。然后，用一个非常薄的硅膜制作晶体管沟道。因为沟道非常薄，无需对通道进行掺杂工序，耗尽层充满整个沟道区，即全耗尽型晶体管。从结构上看，FD-SOI晶体管的静电特性优于传统体硅技术。埋氧层可以降低源极和漏极之间的寄生电容，还能有效地抑制电子从源极流向漏极，从而大幅降低导致性能下降的漏电流。由于FD-SOI晶体管结构及其超薄绝缘层，偏置电路的效率更高。而且，埋氧层的存在允许施加更高的偏置电压，使晶体管动态控制取得突破性进步。

Bulk vs FD-SOI

FD-SOI的技术特色保证了该技术在低功耗方面有着相当强的市场竞争力，在汹涌澎湃的物联网大潮下，看起来FD-SOI有着相当广阔和美好的市场前景。

2015年，知名半导体技术分析机构semiengineering举办了一个圆桌会谈，会谈嘉宾包括芯原微董事长戴伟民，三星半导体代工营销高级总监 Kelvin Low，新思产品解决方案销售高级总监Mike McAweeney，ST的技术研发副总裁Philippe Magarshack等等，对后28nm时代的技术路线演进和FD-SOI生态圈问题做了深入探讨并交换了意见。

与会者一致认为，在一系列“后28nm时代”的更先进工艺节点上，FD-SOI和FinFET将直接兵戎相见，FD-SOI在保证高性能状态下的低功耗特色将是该技术路线成功的关键，Kelvin Low还专门提到了相应的成本问题。

在他看来，客户对物联网和可穿戴设备等许多其他产品成本的高度敏感性，很可能让FinFET无法做到更深层的市场渗透。Philippe Magarshack在会谈中还表示，公司已经为FD-SOI朝向14nm做了大量的准备工作，三星当时也在加大力度研发28nm的FD-SOI技术，未来向14-10nm工艺迁移的过程中，完全有可能继续拥抱这一技术路线。

如果时间节点拉回到2016年，面对研发和资本投入成本呈指数级别增长的情况，众多代工厂的客户群正在面临一场重大抉择。当时，众多Fabless公司都表示采用FinFET技术的成本太高，而且模拟和混合信号设计不太需要FinFET。当时，16nm/14nm芯片的平均设计成本约为8000万美元，而28nm平面技术（以Bulk CMOS为代表）的平均设计成本为3000万美元。当时美国知名通信媒体（主做机顶盒、数字媒体适配器）类芯片设计公司 Sigma Designs就表示，综合考虑到产品的性能、功耗、上市周期等等，他们不会走FinFET路线。对于很多主打物联网和射频芯片的公司来讲，28nm成为了当时性价比最高的开发平台，直至今日，28nm依然是最有代表性的成熟工艺节点，已经成了各家代工厂激烈厮杀的主战场之一。

在把时间节点拉长到更远，半导体行业的下游客户已经习惯了每个工艺节点的迁移都大约能带来30%的成本优化，但是在后28nm时代，因193nm波长的光刻技术、EDA工具等一系列因素，成本优化度被研发成本严重吞噬，除了FPGA、CPU和GPU等要求高算力的领域选择16nm/14nm的FinFET之外，很大比例的模拟集成电路的代工客户将长期驻足在28nm节点上。

以事后之见来看，FinFET显然是一大赢家，尤其在10nm之后活力满满，近乎形成了赢者通吃的局面。反观FD-SOI，地盘在缩小，但也没有输的一败涂地。

而给与FD-SOI技术进一步向22nm进发以重大打击的并不是FinFET，而是台积电采用的传统Bulk CMOS技术——在28nm节点可谓大获全胜。

那么，为何FD-SOI生态圈始终无法规模性扩大？

成本，还是成本

FD-SOI的一大卖点就是良好地解决了随机参杂分布（random dopant fluctuation, RDF）与短通道效应（short channel effect, SCE）问题，在低功耗方面有着突出表现，台积电也当仁不让，针锋相对地推出了28ULP CMOS低功耗技术，但SOI晶圆的成本要明显高出Bulk晶圆，这一问题始终困扰着FD-SOI生态圈的拓展。

六七年来，虽然格芯联手ST，NXP等，不遗余力地断拉三星、索尼、瑞萨等“入群”，但在28nm工艺节点上，台积电在生态圈和技术成熟度上始终领先ST和格芯好几个身位。生态圈的大小，直接决定了晶圆产能的大小，而晶圆产能则直接决定了成本控制。

在raw wafer上本来就处于明显劣势的FD-SOI，由于无法持续走量，成本居高不下，抵消了研发成本的上涨，让FD-SOI的产业生态与技术拓展始终处在温饱有余而小康不足的层面上。

对此，全球知名半导体咨询机构某高级分析师就这几年来FD-SOI技术走向和生态问题，向集微网做了较为全面的剖析。他有一个总的判断，认为到目前为止，FD-SOI技术算不上特别成功：“FD-SOI技术路线下，法国的Soitec公司制造的raw wafer，一个月的产能28nm和22nm加起来向全球供货也不过3万片而已。而台积电的Bulk CMOS 28nm的量，一个月就超过了15万片。直到今天为止，FD-SOI的整个产业圈依然还是集中在格芯、ST和NXP等少数厂家，这个集群比起以台积电、英特尔、AMD、等另一种技术路线的圈子，规模和需求都要小的多，最根本的原因，是台积电的28nm做的实在是太成功了，再加上联电和中芯国际的28nm也都相当出色，这个领域的产能已经杀成了红海。”

该分析师还着重提到，由于FD-SOI的规模化经营有限，导致其晶圆成本一直降不下来：“现在Soitec用SmartCut（注氢剥离技术）做出来的一片12寸晶圆要卖到500美元，最高的时候可以达到800美元，而另一方如果以外延片为主，一片的价格是150美元，对比下来，每一块晶圆，Soitec和格芯都要承受350美元的成本差，用FD-SOI能做的，台积电不用FD-SOI全部都做得到，价格还更便宜。”

该分析师指出，从技术的角度看，FD-SOI的特色在于“FD”（Full Depleted耗尽层充满整个沟道区），然而前沿技术节点下的FinFET和其升级版GAA同样已经做到了FD；从市场投入的角度看，格芯与ST这次新建工厂的资本投入，即便在法国政府和“欧洲半导体芯片法案”的加持之下（路透社报道总投资暂定为42亿欧元），也完全无法和头号代工巨头台积电相拮抗。

该分析师算了这样一笔账：“在28nm的平台上，台积电如果每个月产出1000片晶圆，需要投入1亿美元，如果月产能是4万片，需投入40亿美元；但如果把节点推进到7nm，那平摊到每块晶圆的投入资金要翻倍。从格芯新厂所需的资金推算，也大致能看到他们的产能是多少。”

吃到缺芯红利的格芯

由此可见，FD-SOI狭窄而略显逼仄的生态圈，让其生产成本成为了“阿基里斯之踵”。

但目前种种迹象显示，格芯、ST与研究机构Leti构筑的以法国为中心的FD-SOI生态圈，不但没有因客户拓展缓慢而自我消磨，反而有稳中有升的起势趋向，其中一个重要原因，是吃到了全球半导体产能紧缺的红利。

缺芯大潮之下，以台积电为首的东亚代工圈和众多美国IDM厂商的策略性屯货，让芯片交付时间不断拉长，反而给了一度被冷落的格芯SOI以扩产的机会。

近日，格芯与高通加强在RF-SOI方面的合作，在美国东海岸扩产，以及主做蓝牙芯片北欧半导体不满台积电拉长交货时间，转而投靠格芯，这两则新闻可以说是格芯稳住代工市场份额，徐图再进的明证。

除了“缺芯红利”这一因素之外，格芯CEO Tom Caulfield还敏锐地抓住了资本市场的热度，把在纳斯达克上市的机会巧妙和欧洲和美国的芯片法案的出台贴合起来，下出了一步好棋。

格芯和ST公开的新闻通稿显示，双方这次合作将从22nm平台向18nm迁移，对此该分析师告诉集微网：“这些工艺节点数字，很可能只是个市场营销的噱头，从FD本身的技术以及从客户的角度看，继续向14nm迁移也不是那么有必要，毕竟FinFET已经在10nm以下早就建立了良好的生态。”

中国大陆的机会？

但无可否认的是，FD-SOI技术从22nm到五年前业界看好的宏伟目标——10nm演进，会带动整个相应的IP设计、晶圆前端设备的配套性研发的推进。FD-SOI的不屈和倔强，丰富了技术生态路线，并且有可能为中国大陆向前沿节点进发提供了另一种可能。

在美国不断加大对华设备、EDA卡脖子力度的大背景下，这一技术路线目前可谓被赋予更深层次的意义。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民是国内半导体产业玩家中推崇FD-SOI技术的典型代表。他认为FD-SOI是中国大陆Fabless“换道超车”的机会，有望率先在图像传感器、ISP、物联网芯片市场落地，在他看来：“IoT与AI时代需用FinFET和FD-SOI两条腿走路。FinFET是大量数字芯片，多数时候具有高性能，FD-SOI的特性是低功耗和高集成。”

2015年上海FD-SOI论坛，左二为戴伟民

从地缘政治上讲，FD-SOI“朋友圈”的大本营在欧洲的法国，法国的半导体产业有着另类的独立性。该资深分析师也承认，在未来，FD-SOI产业生态完全有可能朝着对华合作的方向靠拢。

集微网之前曾刊发《隐秘的国有化之路：法国Soitec更换CEO背后的玄机》一文，对国内硅片生产商沪硅产业和Soitec微妙的竞合关系的做过阐述。文中提到，沪硅集团掌握了拥有自主知识产权的SIMOX、Bonding、Simbond等先进的SOI硅片制造技术，并通过Soitec授权方式掌握了Smart-Cut TMSOI硅片制造技术。沪硅产业某高管对集微网谈到：“我们不是没有技术，而是因为市场生态原因才选择与法国人合作，这是一种借船出海或者借鸡生蛋策略。法国人想把我们纳入到他们的工业体系中去，这涉及到技术授权，在这个基础上，双方可以共享中法两个大国的市场。”

结语

FD-SOI技术路线在28nm之后进展并不顺利，客户群和生态圈不断被擂台的另一方台积电、英特尔等蚕食鲸吞，但近年来因一系列内外复杂因素，如晶圆产能缺货、美国“芯片民族主义”的影响，格芯和ST抓住时机，找到了为FD-SOI重整旗鼓的最佳窗口期，这个窗口期对国内半导体产业来讲同样有重大意义，未必不是突破美国14nm“卡脖子”的一种可行性方案。从“以美为师”到“以法为师”，围绕这一主题，加强FD-SOI技术路线的IP设计研发以及上游材料、设备的资金投入的可行性，亟待行业大咖做更深入的研究。（校对/陈兴华）

2、新能源、光储产业加码，东微半导半年度业绩再次领跑功率半导体赛道

集微网报道，8月26日晚间，苏州东微半导体股份有限公司（证券简称“东微半导”）发布了2022年上半年度报告。报告显示，受益于新能源车及光储等领域持续高景气度，2022年上半年公司实现营业收入4.66亿元，同比增长45.33%；归属于上市公司股东的净利润约1.17亿元，同比增长125.42%；归属于上市公司股东的扣非净利润1.11亿元，同比增长130.30%；综合毛利率33.46%，同比提高6.71个百分点。这一成绩单在众多A股上市的半导体公司中显得相当亮眼。

2022年上半年，受尚未解决的贸易紧张关系、地缘政治冲突、疫情以及通货膨胀等多种因素的影响，全球经济增长继2021年强势反弹后，正进入一个明显放缓的时期，且结构性分化较为明显。主要表现为：普通消费电子应用领域产品需求较为疲软，新能源车、光储等应用领域对高性能产品的需求旺盛。东微半导始终专注于高性能功率半导体器件研发，凭借高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET以及具有独立知识产权的TGBT器件四大产品系列及超过1200家优质的工业级、车规级终端客户群体再领风骚，业绩持续领跑功率半导体赛道。

新能源车、光储需求蓄力扩张，工业级应用保持高速增长

“碳达峰、碳中和”的双碳目标牵引新能源产业的顶层设计持续完善标志着新能源产业迈入全面爆发的阶段，能源结构化转型升级加快驱动以新能源汽车、光储产业为代表的市场步入“新赛季”，成为引领经济的新增长点。

8月19日，国务院常务会议决定延续实施新能源汽车免征车购税等政策，将免征车购税政策延至明年底，并继续执行免征车船税和消费税、路权、牌照等激励政策，充电桩基础设施建设还将给予政策性开发性金融工具支持，旨在促进新能源汽车消费、相关产业升级、绿色低碳发展，表征着新能源的发展是趋势也是必然。数据显示，7月份我国新能源汽车产量61.9万辆，同比增长112.7%，增速雄踞所有主要工业品第一位，足见当下市场需求的火爆。而展望后市，新能源汽车消费热潮有望持续。

东微半导作为国内“充电桩芯片第一股”，充分受益于这一大趋势带来的业绩增长。其半年报显示，公司在充电桩和车载充电机领域的营收同比增长分别达到60%和1350%，增速势如破竹。公司还获得比亚迪的全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“2021年度优秀供应商”荣誉称号。

环境问题推动了中国光伏、储能产业的崛起。紧迫的能源结构化转型升级、太阳能光伏发电技术进步推动光伏产业进入快速发展时期，提高转换效率、降低原材料价格、新兴市场扩张成为未来新的趋势。相关数据显示，上半年我国国内光伏发电新增装机30.88GW，同比增长137.4%，已超过去年前十个月装机量总和，预计今年全年新增装机将达到85-100GW，占全球同期光伏装机量三分之一。新型电力系统所需灵活性资源及用户侧的低成本高质量用电需求驱动储能产业增长，火爆程度远超预期。公开数据显示，到 2025年中国储能电站市场空间达到19.2GW/48GWh，2021-2025年储能容量复合增速79%。据东微半导半年报数据显示，其在光伏逆变器方面的营收同比增长近300%，标志着该公司在该赛道的发力取得卓越的成效。

“四轮”内生驱动东微半导驶入高速发展轨道

新能源征途，器件可靠性要高，成本要低，极致性价比演绎末位淘汰。在半导体供应链紧张程度松动，下游需求分化严重的情况下，东微半导营收规模与盈利能力等核心财务指标的强势表现，充分证明了其“成色”。需要强调的是，随着功率半导体在新能源、光储领域应用广度与渗透深度的加深，相关企业迎来难得发展机遇，而能否切实抓住这样的机遇，则考验着功率半导体厂商的技术“内功”。财报显示，东微半导第四代高压GreenMOS超级结产品批量出货，启动第五代超级结MOSFET技术研发，进展顺利。上述产品被大量应用于光伏逆变及储能领域，替换IGBT并且明显提升效率。新一代超级硅MOSFET开发成功，进入车载应用领域。此外，多款高可靠性中低压屏蔽栅MOSFET器件成功进入汽车电子领域，公司持续拓展基于第三代低压高密度屏蔽栅MOSFET工艺平台的产品规格，已应用于数据中心服务器电源。

皇冠明珠“TGBT”产品稳定放量，助力业绩释放。东微半导的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构设计，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗。2022年上半年，公司持续拓展TGBT产品规格，提升产品性能。第二代 TGBT技术开发顺利进行，多个规格型号的产品进入批量验证阶段，芯片的电流密度得到显著提高，达到国际领先水平。从财报看TGBT上半年的销售额已经进入爆发期，有望与其目前的拳头产品高压超级结MOSFET协同，画出东微半导未来业绩“第二增长曲线”。

强势产品组合结构优化加速提升盈利质量。正如上文所述，东微半导稳居国内高性能功率半导体公司的第一梯队，除了其一流的底层器件结构创新实力、快速的技术迭代能力外，其产品组合结构的持续优化也加速了营收质量的提升。此外，由于工业级及车规级应用对功率半导体的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均售价也较消费级应用的产品平均售价更高，使得公司主营产品系列在平均售价和毛利率上有更好表现。

目前，东微半导主力产品GreenMOS高压超级结MOSFET系列已启动第五代产品开发，基于公司掌握的优化电荷平衡、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等专利，产品关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平，广泛应用于新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源等领域。高压超级结MOSFET产品已经形成市场影响力与产品竞争力的正向循环，而创新性的TGBT器件营收也正快速放量，在高端IGBT器件市场未来前景颇具想象空间。需要强调的是公司在第三代半导体领域的应用取得实质性进展。目前，部分车载电子客户已经使用东微半导开发的并联SiC二极管的高速系列TGBT产品实现对SiC MOSFET的替代，初步获得新能源车载充电机应用客户的批量订单。此外，公司也提出了创新的SiC MOSFET的技术路线，采用公司独创新型栅控场效应晶体管专利技术的高性能高可靠性650V SiC MOSFET器件开发顺利，已申请多项相关专利，可对采用传统技术路线的SiC MOSFET进行替代。

优质龙头代工伙伴携手奋进，砥砺前行。对于功率半导体设计企业而言，其业绩释放可以说直接与代工产能相挂钩，没有足够的产能保障，再好的产品也难以充分转化为营收。目前，东微半导与代工企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek均保持稳定的业务和技术合作关系，特别是与目前全球最大功率半导体代工企业华虹半导体的合作，从2013年开始，公司就协同华虹宏力平台开发新一代超级结技术，并于2015年第二季度正式推出了新型高压MOSFET产品，堪称携手奋进的典范，华虹无锡基地8英寸以及12英寸代工产能放量，将为东微半导带来有力支撑。报告期内，东微半导基于12英寸先进制造工艺的高压超级结MOSFET及SGT产品大规模稳定量产，同时产品性能进一步提升，获得华虹半导体“12英寸平台累计出货100万片卓越贡献客户”荣誉称号。此外，8英寸及12英寸先进制造工艺的IGBT技术开发及扩产顺利进行，随着新产线的扩充及新一代TGBT产品的研发成功，东微半导TGBT产能将得到迅速增加。

值得一提的是，东微半导公告显示，为更好地实施公司战略规划，出资设立投资基金，主要针对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，实现“内外兼修”。

这份半年报所展现的东微半导产品迭代速度、前瞻性研发创新实力、强势产品组合结构优化以及新能源、光储等产业市场拓展的良性循环势头，中长期将强力构筑公司未来的“增长飞轮”。

结语

实现化石能源清洁高效、可再生能源大规模利用，是实现“双碳”目标的必由之路，而能源消费形式替换和消费效率的提升，都离不开功率半导体这一基础，高涨的景气度有望长期延续。

与飞速膨胀的市场体量相伴，功率半导体在结构、材料、工艺等维度的迭代演进也同样迅猛，这意味着踏准赛道浪潮的同时，技术实力将是决定企业能否长期“弄潮”的根本，聚焦底层器件结构创新，掌握一系列核心技术的东微半导，必将在大浪淘沙中取得新的，更大的成就。（校对/萨米）

3、韩国半导体产业圈对美国 “芯片法案”表示担忧

集微网消息，据businesskorea报道，2022年CHIPS and Science法案通过后，韩国半导体公司的担忧越来越大。该法案将为在美国建设半导体设施的公司提供390亿美元和25%的税收优惠，并为在美国进行半导体研发的公司提供110亿美元。在10年内，每个接受者都被禁止增加在某些指定国家的半导体投资和设施。

该禁令不适用于传统的芯片。然而，法律中对遗留芯片的定义，即28纳米和更早的技术，并不明确，因为法律没有规定是关于内存芯片还是非内存芯片。根据该法律，美国商务部应该在以后提出一个明确的定义。

如果禁令是针对内存和非内存，三星电子的风险将相对较低，因为NAND闪存更多的是关于层数而不是纳米水平。

在任何情况下，三星电子都不可能完全没有风险，因为每个接受者都必须经常向有关部门通报其投资计划和活动，为期10年，在大多数情况下这些都是商业机密。（校对/武守哲）

4、北京经开区原管委会主任梁胜被查，曾主导北京半导体制造产业发展

集微网消息，据财新网消息，8月26日，北京经济技术开发区（北京经开区）原管委会主任梁胜被调查。

财新网称，现年55岁的梁胜是北京半导体制造产业发展的主导者之一；几个月前被免职并接受经济责任审计，近日被有关部门带走进一步调查

北京经济技术开发区官网显示，梁胜，男，汉族，1966年12月生，在职研究生，经济学博士，中共党员。北京经济技术开发区管委会保留正局长级待遇。

5、机构：车用半导体短缺到何时？盘点大型车企表态

集微网消息,一些迹象表明，车用半导体的短缺有所缓解。然而，至少到2023年，轻型汽车的产量可能仍不能发挥出全部潜力。

LMC Automotive机构7月份的预测显示，2022年的轻型汽车产量将达到8170万辆，较2021年增长2%。LMC机构1月份的预测显示，2021年的轻型汽车产量增长13%，比目前的预测多400多万辆。7月份的预测要求2023年产量增长5%，2024年产量增长7%。LMC机构4月份对2023年和2024年的预测比7月份的预测每年高出400万辆。2024年产量为9170万辆，应该仍低于2018年（五年前）9400万辆的疫情前水平。

该机构分析，汽车半导体短缺的主要原因是：

2020年初，新冠疫情爆发之初，汽车制造商大幅削减了半导体订单。汽车公司担心，如果需求因疫情而大幅下降，就会陷入库存过剩的困境。当汽车制造商试图增加订单时，他们已失去生产线上的地位，落后于个人电脑和智能手机等其他行业。

许多汽车制造商使用准时制订购系统来避免库存过剩。这使得他们几乎没有缓冲库存。此外，汽车中使用的大多数半导体都是由供应系统（发动机控制、仪表板电子器件等）的公司购买的，而不是汽车制造商，这导致供应链更加复杂。

车用半导体的设计周期较长，必须符合合格标准。因此，汽车制造商很难在短期内更换供应商。

由于设计周期长和产品寿命长，车用半导体比大多数其他应用使用的工艺节点要旧。如下表所示，麦肯锡估计，2021年72%的汽车用半导体晶圆使用了90纳米或更高的工艺节点，而在所有半导体应用中，这一比例为52%。只有6%的汽车需要用14纳米及以下的工艺节点，而在所有半导体应用中，这一比例为21%。半导体制造商将其资本支出集中在更先进的工艺节点上，而对较旧的节点只进行了适度的产能扩张。台积电是晶圆代工厂的龙头老大，其65%的收入来自先进工艺节点，只有12%的收入来源于90纳米或更高节点。台积电汽车收入只占5%，而智能手机收入占38%。因此，对于代工厂来说，汽车制造商不在优先考虑的范围内。

鉴于上述所有因素，解决所有供应问题需要时间。主要汽车制造商最近发表的评论显示，解决半导体短缺问题的趋势复杂：

丰田——短缺至少持续到到2022年第三季度

大众——短缺缓解

现代——短缺缓解

通用汽车——短缺影响到2023年

Stellantis——短缺持续到2022年下半年

本田——由于短缺，前景不明确

日产——未来几个月内复苏

福特——短缺仍然是一个问题

梅赛德斯奔驰——无重大供应问题

宝马——没有因短缺而生产延迟

沃尔沃——恢复完全供应

博世（零件供应商）——短缺持续到2023年

下表列出了汽车市场的主要半导体供应商。2021年，前十大供应商占汽车半导体市场总额690亿美元的46%（根据WSTS）。汽车业务在这些公司的半导体总收入中占据了相当大的比例，从17%到50%不等。

五大汽车半导体供应商在最近的2022年第二季度财务报告中也对短缺问题给出了不同的展望：

英飞凌科技——2022年短缺逐步缓解

恩智浦半导体——2022年第三季度需求仍将超过供应

瑞萨电子——2022年第二季度末库存恢复到计划水平

德州仪器——库存仍低于预期水平

意法半导体——2023年产能已售罄

车用半导体的短缺可能至少会持续到2023年。尽管一些汽车制造商表示已恢复全面生产，但大多数汽车制造商报告称，车用半导体仍在短缺。短缺将使汽车制造商无法生产足够的汽车来满足2022年和2023年的需求，导致大多数汽车的价格持续居高不下。

汽车制造商和半导体供应商正在努力防止未来出现这种严重短缺。汽车制造商正在调整他们的准时制库存模式。汽车制造商也在与半导体供应商更紧密地合作，来进行他们的短期和长期需求沟通。随着电动汽车和驾驶辅助技术的持续发展，半导体对汽车制造商来说将变得更加重要。（校对/武守哲）

6、IC概念股本周涨跌幅排行：深圳华强涨7.1%居首，赛腾股份大跌24.59%垫底

本周，A股三大指数走势再度分化，沪指、深成指纷纷下跌。截至本周五收盘，沪指本周跌21.86点，跌幅为0.67%，收报3236.22点；深证成指跌298.84点，跌幅为2.42%，收报12059.17点；创业板跌93.93点，跌幅为3.44%，收报2640.29点。

科创50指数继上周下跌之后，本周跌幅进一步扩大，跌幅为5.63%，收报1045.99点。

Wind半导体指数本周也遭遇大跌。截至周五收盘，Wind半导体指数跌409.08点，跌幅为6.37%，收报6016.19点。

集微网从电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封测、分销等领域选取了143家半导体公司作了统计。IC概念股本周走势进一步分化，上涨的股票数量仅有6家，下跌的股票数量则高达137家。

根据wind统计数据显示，涨幅方面，深圳华强以7.10%的涨幅领涨IC概念股。而航锦科技以6.81%的涨幅位列涨幅榜第二名，复旦微电则以4.83%的涨幅紧随其后。

此外，金宏气体、纳思达、三环集团也有不同程度的上涨。

在跌幅方面，由于本周半导体迎来调整，合计有137家公司出现下跌的情况，跌幅超过5%的扩大至118家，跌幅超过10%的有51家。

其中，赛腾股份以24.59%的跌幅排在跌幅榜第一名，大港股份跌22.96%位列第二名，远望谷跌19.25%排在第三位。

其他如芯碁微装、宏微科技、敏芯股份、华兴源创、利扬芯片、思瑞浦等本周也均有不同程度的跌幅。

（校对/李正操）