新能源、光储产业加码，东微半导半年度业绩再次领跑功率半导体赛道

集微网报道，8月26日晚间，苏州东微半导体股份有限公司（证券简称“东微半导”）发布了2022年上半年度报告。报告显示，受益于新能源车及光储等领域持续高景气度，2022年上半年公司实现营业收入4.66亿元，同比增长45.33%；归属于上市公司股东的净利润约1.17亿元，同比增长125.42%；归属于上市公司股东的扣非净利润1.11亿元，同比增长130.30%；综合毛利率33.46%，同比提高6.71个百分点。这一成绩单在众多A股上市的半导体公司中显得相当亮眼。

2022年上半年，受尚未解决的贸易紧张关系、地缘政治冲突、疫情以及通货膨胀等多种因素的影响，全球经济增长继2021年强势反弹后，正进入一个明显放缓的时期，且结构性分化较为明显。主要表现为：普通消费电子应用领域产品需求较为疲软，新能源车、光储等应用领域对高性能产品的需求旺盛。东微半导始终专注于高性能功率半导体器件研发，凭借高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET以及具有独立知识产权的TGBT器件四大产品系列及超过1200家优质的工业级、车规级终端客户群体再领风骚，业绩持续领跑功率半导体赛道。

新能源车、光储需求蓄力扩张，工业级应用保持高速增长

“碳达峰、碳中和”的双碳目标牵引新能源产业的顶层设计持续完善标志着新能源产业迈入全面爆发的阶段，能源结构化转型升级加快驱动以新能源汽车、光储产业为代表的市场步入“新赛季”，成为引领经济的新增长点。

8月19日，国务院常务会议决定延续实施新能源汽车免征车购税等政策，将免征车购税政策延至明年底，并继续执行免征车船税和消费税、路权、牌照等激励政策，充电桩基础设施建设还将给予政策性开发性金融工具支持，旨在促进新能源汽车消费、相关产业升级、绿色低碳发展，表征着新能源的发展是趋势也是必然。数据显示：7月份我国新能源汽车产量61.9万辆，同比增长112.7%，增速雄踞所有主要工业品第一位，足见当下市场需求的火爆，而展望后市，新能源汽车消费热潮有望持续。东微半导作为国内“充电桩芯片第一股”，充分受益于这一大趋势带来的业绩增长。其半年报显示，公司在充电桩和车载充电机领域的营收同比增长分别达到60%和1350%，增速势如破竹。公司还获得比亚迪的全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“2021年度优秀供应商”荣誉称号。

环境问题在背后推动了中国光伏、储能产业的崛起。紧迫的能源结构化转型升级、太阳能光伏发电技术进步推动光伏产业进入快速发展时期，提高转换效率、降低原材料价格、新兴市场扩张成为未来新的趋势。相关数据显示：上半年我国国内光伏发电新增装机30.88GW，同比增长137.4%，已超过去年前十个月装机量总和，预计今年全年新增装机将达到85-100GW，占全球同期光伏装机量三分之一。新型电力系统所需灵活性资源及用户侧的低成本高质量用电需求驱动储能产业增长，火爆程度远超预期。公开数据显示：到 2025年中国储能电站市场空间达到19.2GW/48GWh，2021-2025年储能容量复合增速79%。公司半年报显示，东微半导在光伏逆变器方面的营收同比增长近300%，标志着东微半导在该赛道的发力取得卓越的成效。

“四轮”内生驱动东微半导驶入高速发展轨道

新能源征途，器件可靠性要高，成本要低，极致性价比演绎末位淘汰。在半导体供应链紧张程度松动，下游需求分化严重的情况下，东微半导营收规模与盈利能力等核心财务指标的强势表现，充分证明了其“成色”。需要强调的是，随着功率半导体在新能源、光储领域应用广度与渗透深度的加深，相关企业迎来难得发展机遇，而能否切实抓住这样的机遇，则考验着功率半导体厂商的技术“内功”。东微半导财报显示：公司第四代高压GreenMOS超级结产品批量出货，启动第五代超级结MOSFET技术研发，进展顺利。上述产品被大量应用于光伏逆变及储能领域，替换IGBT并且明显提升效率。新一代超级硅MOSFET开发成功，进入车载应用领域。此外，多款高可靠性中低压屏蔽栅MOSFET器件成功进入汽车电子领域，公司持续拓展基于第三代低压高密度屏蔽栅MOSFET工艺平台的产品规格，已应用于数据中心服务器电源。

皇冠明珠“TGBT”产品稳定放量，助力业绩释放。公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构设计，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗。2022年上半年，公司持续拓展TGBT产品规格，提升产品性能。第二代 TGBT技术开发顺利进行，多个规格型号的产品进入批量验证阶段，芯片的电流密度得到显著提高，达到国际领先水平。从财报看TGBT上半年的销售额已经进入爆发期，有望与其目前的拳头产品高压超级结MOSFET协同，画出公司未来业绩“第二增长曲线”。

强势产品组合结构优化加速提升盈利质量。正如上文所述，东微半导稳居国内高性能功率半导体公司的第一梯队，除了其一流的底层器件结构创新实力、快速的技术迭代能力外，其产品组合结构的持续优化也加速了营收质量的提升。此外，由于工业级及车规级应用对功率半导体的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均售价也较消费级应用的产品平均售价更高，使得公司主营产品系列在平均售价和毛利率上有更好表现。

目前，公司主力产品GreenMOS高压超级结MOSFET系列已启动第五代产品开发，基于公司掌握的优化电荷平衡、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等专利，产品关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平，广泛应用于新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源等领域。高压超级结MOSFET产品已经形成市场影响力与产品竞争力的正向循环，而创新性的TGBT器件营收也正快速放量，在高端IGBT器件市场未来前景颇具想象空间。需要强调的是公司在第三代半导体领域的应用取得实质性进展。目前，部分车载电子客户已经使用东微半导开发的并联SiC二极管的高速系列TGBT产品实现对SiC MOSFET的替代，初步获得新能源车载充电机应用客户的批量订单。此外，公司也提出了创新的SiC MOSFET的技术路线，采用公司独创新型栅控场效应晶体管专利技术的高性能高可靠性650V SiC MOSFET器件开发顺利，已申请多项相关专利，可对采用传统技术路线的SiC MOSFET进行替代。

优质龙头代工伙伴携手奋进，砥砺前行。对于功率半导体设计企业而言，其业绩释放可以说直接与代工产能相挂钩，没有足够的产能保障，再好的产品也难以充分转化为营收。目前，东微半导与代工企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek均保持稳定的业务和技术合作关系，特别是与目前全球最大功率半导体代工企业华虹半导体的合作，从2013年开始，公司就协同华虹宏力平台开发新一代超级结技术，并于2015年第二季度正式推出了新型高压MOSFET产品，堪称携手奋进的典范，华虹无锡基地8英寸以及12英寸代工产能放量，将为东微半导带来有力支撑。报告期内，公司基于12英寸先进制造工艺的高压超级结MOSFET及SGT产品大规模稳定量产，同时产品性能进一步提升，公司获得华虹半导体“12英寸平台累计出货100万片卓越贡献客户”荣誉称号。此外，8英寸及12英寸先进制造工艺的IGBT技术开发及扩产顺利进行，随着新产线的扩充及新一代TGBT产品的研发成功，公司TGBT产能将得到迅速增加。

值得一提的是，东微半导公告显示，为更好地实施公司战略规划，出资设立投资基金，主要针对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，实现“内外兼修”。

这份半年报所展现的东微半导产品迭代速度、前瞻性研发创新实力、强势产品组合结构优化以及新能源、光储等产业市场拓展的良性循环势头，中长期将强力构筑公司未来的“增长飞轮”。

结语

实现化石能源清洁高效、可再生能源大规模利用，是实现“双碳”目标的必由之路，而能源消费形式替换和消费效率的提升，都离不开功率半导体这一基础，高涨的景气度有望长期延续。

与飞速膨胀的市场体量相伴，功率半导体在结构、材料、工艺等维度的迭代演进也同样迅猛，这意味着踏准赛道浪潮的同时，技术实力将是决定企业能否长期“弄潮”的根本，聚焦底层器件结构创新，掌握一系列核心技术的东微半导，必将在大浪淘沙中取得新的，更大的成就。（校对/萨米）