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来源:化合物半导体市场发布时间:2022-08-24996浏览
询问 AI继8月17日签订6.8亿元左右的订单之后,第三代半导体IDM大厂II-VI于23日宣布,与英飞凌签署了6英寸SiC导电型衬底多年合同,同样面向电力电子应用领域。
不难发现,6英寸SiC衬底作为当下及未来一段时间功率半导体市场的主流衬底技术,已备受电力电子应用市场的追捧。今年以来,从天岳先进到II-VI,6英寸SiC衬底签单不断,涉及合同金额也都不小。而II-VI更是在几天的时间内拿下两单,市场需求的强劲以及下游厂商的备货热情程度可见一斑。
II-VI表示,电动汽车市场的飞速增长推动了电动汽车动力系统、车载电池充电装置和充电基础设施对SiC电力电子设备的需求。据TrendForce集邦咨询预估,2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元,至2026年将攀升至39.4亿美元。这无疑将带动上游SiC衬底的需求,也是诸多外延、器件、模组甚至应用厂商积极锁定产能的原因。
值得一提的是,英飞凌在保障衬底等材料产能的供应方面做了多方面的准备,供应商结构持续多元化。除了II-VI之外,英飞凌在此之前已向Wolfspeed、安森美和昭和电工签订了多年供货协议,为迎接激增的市场需求解除后顾之忧。此番与II-VI签订多年合同,英飞凌将确保其6英寸SiC衬底的供应;同时,英飞凌还将与II-VI合作向8英寸SiC衬底过渡。
目前,II-VI正在扩建6/8英寸SiC衬底工厂,到2027年,6英寸衬底的年产能将达100万片,8英寸衬底的占比也将逐渐增长。英飞凌与II-VI、Wolfspeed、昭和电工等衬底相关厂商一样,也在加大投资、加快扩产。一环扣一环,作为中游环节的SiC器件/模组厂,英飞凌需要通过保障材料的供应,以匹配其扩充器件产能的需求,从而满足下游客户的需求。
与II-VI签订合同的天域半导体也不例外。在扩大产能规模的同时,也开始积极预定上游材料的产能,蓄势待发。实际上,类似的案例比比皆是,即便在逆势的环境下,这一趋势也没有改变。这也恰恰表明,尽管客观环境对各行各业造成了一定的不利影响,但第三代半导体领域仍保持一路向上的趋势,已经成为相关厂商站稳脚跟、挖掘利润的制胜法宝。
也因此,SiC在电动汽车、光伏储能、车外充电桩、轨道交通及其他工业应用等领域的推广和普及将指日可待。
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