广汽、长城、吉利、理想、蔚来等车企都已有布局碳化硅，近日，国内又一家车企出手了——
8月16日，中国电科官方微信宣布，他们与中国一汽签署了战略合作协议，双方有关部门负责人参加了签约仪式。
根据协议，双方将密切开展需求对接和协同研发，通过共建创新联合体等形式，开展汽车芯片、第三代半导体器件、汽车智能网联等技术攻关和产品研发。
一汽为何选择中国电科？大家先看看下图关于中国电科集团的第三代半导体布局：
碳化硅和氮化镓的器件方面，中电科的55所和13所都是国内的佼佼者；此外，中电科在碳化硅衬底等材料和装备方面都有布局。那么，中电科在碳化硅方面的进展如何？今天，“行家说三代半”就给大家盘点一下。
来源：《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》
55所布局车规SiC项目年产能1000万颗
国扬电子主要负责中电科55所碳化硅器件和模组项目。
6月16日，江苏省工信厅公示了《2022年度江苏省工业和信息产业转型升级专项资金》，其中就包括扬州国扬电子主导的车规级SiC MOSFET芯片和功率模块项目。
据悉，此次项目产业化后，碳化硅芯片将形成年产1000万颗的能力，功率模块形成年产15万只的能力，新增营业收入1.5亿元，利税1500万元。
13所布局2大项目年产能超过12万件
中电科13所旗下的国联万众在前段时间公示了总投资3.13亿元的碳化硅项目环评表，其中提到他们在建设2个碳化硅相关项目：
●7月20日，国联万众半导体官网公示了“碳化硅项目”的环评报告表。该项目总投资3.13亿元，主要研发 3300V SiC MOSFET 芯片及 3300V 高压功率模块封装技术，将于2023年1月1日开工建设；
●此外，国联万众还在建设另一个碳化硅、氮化镓相关项目，主要产品包括6英寸 SiC、GaN 晶圆；GaN 功放模块；SiC功率模块及单管。
中电科材料公司将建200万片衬底项目
中电科材料公司方面，碳化硅衬底有烁科晶体，碳化硅外延有普兴电子和国盛电子。
●烁科晶体
烁科晶体一期项目已于2020年2月正式投产。截至2021年底烁科晶体实现销售收入5亿元。据山西烁科晶体有限公司总经理李斌介绍，他们们下一步也将投资30亿，形成接近200万片的产能。
今年3月，烁科晶体还成功研制出8英寸碳化硅晶体，实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。
●普兴电子
8月15日，据河北长城网报道，河北普兴电子的碳化硅搬迁项目将于今年年底全面竣工。该项目总投资5亿元，项目投产后，普兴电子将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），预计可达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。
●国盛电子
南京国盛电子是国内优秀的硅外延、碳化硅外延生产服务供应商，其产品覆盖4英寸至8英寸的各类型外延片，产能达到25万片/月（折合6英寸）。2021年9月，国盛电子的“外延材料产业基地项目”签约落户南京江宁开发区，一期将建设成立第三代化合物外延材料。中电科装备公司：关键设备屡屡实现突破
中电科装备公司目前已经实现了碳化硅关键核心设备的研制，包括碳化硅外延设备、高能离子注入设备、高温氧化/激活，以及碳化硅晶体激光切割。
●中电科2所
今年8月，中电科2所激光剥离项目取得突破性进展，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离。
其激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。
此外，今年2月，该所还成功研制出山西省首片碳化硅芯片。据悉，2021年9月，中电科二所就建设了碳化硅芯片mini线，并负责整线运行和维护。
●中电科48所
2021年底，据该所半导体装备研究部副主任巩小亮介绍，他们的第三代半导体装备产业布局优势明显，SiC外延生长设备方面，在国内率先开发出碳化硅器件制造关键装备，并形成成套应用态势。
截至2020年，SiC设备已在生产线应用/签订合同逾20台套，意向合同多台套。6英寸单片式机型满足厚外延、高均匀、低缺陷等工艺发展需求；SiC高温高能离子注入机，注入能量、束流、均匀性、稳定性和产能持续提升，批量应用。SiC高温激活炉满足量产要求，已小批量应用；SiC高温氧化炉生产出的1200V/ 80mΩ MOSFET器件进入下游用户可靠性测试阶段。
新闻来源：第三代半导体风向，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
