美国的“阳谋”：让中国芯设计卡死在3nm，制造卡死在10nm

众所周知，这几年中国芯片产业的不断崛起，特别是制造上，不断突破，产能急剧提升，在2020年的时候，晶圆产能占全球的16％，已经超过了美国12％。

而按照机构的预测到2030年时，中国晶圆产能会高达24％，而美国会降为10％，不足中国大陆的二分之一，这让美国大为紧张，所以最近针对中国芯片产业，美国又下死手了。

中美晶圆产能对比

从当前的情况来看，美国下手，分为三个方面。一是利用520亿美元的芯片补贴，拉拢芯片巨头，到美国设厂，并不准拿补贴的厂商，10年内到中国大陆投资高端芯片，以此锁死中国高端芯片10年。

二是对EDA进行封禁，直接将开发GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路必须用到的EDA（电子计算机辅助设计）软件，被列入管制范围。

三是对14nm及以下的所有设备，都不准卖到中国大陆来，从制造领域进行打压。

而美国这三个举措背后，其实是美国当前的最大“阳谋”，也不遮着掩着，那就是“想让中国大陆的芯片设计卡死在 3nm，制造卡死在 10nm，然后拉开中美在高速运算、人工 AI 等方面的距离。”。

先说设计卡死在3nm这一块，因为当芯片进入到3nm时，三星已经使用了GAAFET晶体管，而台积电在2nm时也会使用GAAFET晶体管。

一旦GAAFET晶体管设计使用的EDA不准中国大陆厂商使用，那么大家基本上芯片设计水平，差不多就卡在了3nm，很难进入到3nm所需的GAAFET技术上来了。

再说制造方面，当前中国大陆最先进的工艺是FinFET技术，也就是中芯的14nm，早已实现了量产。但美国当前想要禁止14nm及以下的半导体设备禁运。

那么我们就只能停留在14nm，很难再进前一步到10nm了，毕竟当前国产半导体设备能够支持的工艺，大多在28nm，少部分在14nm，只有刻蚀机到了3nm，要补的课还太多，短时间无法突破。

可见，中国要发展高端芯片，不只是芯片制造环节要突破，还包括设计、制造、封测、设备及材料环节，以及芯片辅助设计工具（EDA）软件，只有芯片上下游的每一步都要走得扎实，才能够突破封测，路还很长。

原文标题:美国的“阳谋”：让中国芯设计卡死在3nm，制造卡死在10nm