年产5万片氮化镓，苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶

8月10日，苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶。

据悉，该项目于2021年1月27日奠基，项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

苏州纳维科技有限公司2007年由中科院苏州纳米所徐科研究员创立，致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化。率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键核心技术，成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业。