苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片

集微网消息，8月10日，苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶。

据悉，该项目于2021年1月27日奠基，项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

据苏州纳维科技官网，该公司成立于2007年，专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长，已实现2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术。（校对/杨晨曦）