北方华创正式发布CCP介质刻蚀机，已实现量产

近日，据北方华创发布消息，公司正式发布CCP介质刻蚀机，目前已在5家客户完成验证并实现量产！

产品具备在介质刻蚀上的高选择比、高刻蚀速率等优势，适用于介质类氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等膜层材料。可为客户提供包括逻辑器件、功率器件、化合物半导体等在内的多种特色工艺；主要应用领域包括但不限于：Logic, BCD, Power(Si/SiC/GaN), MEMS。

Source：拍信网

这完成了该领域国产设备工艺的最后一块拼图，实现了北方华创在8吋刻蚀设备上的整体解决方案，包括硅刻蚀、深硅刻蚀、金属刻蚀、化合物半导体刻蚀(SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO3, LiTaO3等）等工艺设备。

目前，北方华创先进制程刻蚀机和薄膜沉积设备（14nm）已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用；PECVD、LPCVD、APCVD、ALD等CVD产品已广泛应用于集成电路、先进封装、功率器件、新能源光伏、第三代半导体等领域。

ICP刻蚀机自2005年进入市场以来，已累计交付超过2000腔，广泛应用于集成电路先进逻辑、先进存储、先进封装、功率器件、第三代半导体等领域。

碳化硅长晶设备订单饱满，预计今年出货将超500台。