国产SiC又出8吋！导电型！

昨天，国产SiC又有好消息传来——晶盛机电宣布成功研发8英寸导电型SiC衬底。

据公开报道，目前的国内还有烁科晶体、中科院物理所等企业和单位成功研发了8英寸SiC单晶。此外，据“行家说三代半”调研，马上又有一家国内SiC企业也将公布相关信息。

来源：《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》

晶盛8吋单晶出炉厚度25mm
根据晶盛官微消息，8月12日，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体出炉。晶盛机电的8英寸SiC晶体的晶坯厚度为25mm，直径214mm。

据悉，晶盛机电的晶体实验室研发团队是通过半年多的技术攻关取得这一成果。他们不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

40万片/年项目已开工获得23万片意向订单

据介绍，晶盛机电是从2017年开始布局碳化硅业务，2020年他们建立了SiC长晶和加工中试线。

去年10月，晶盛机电宣布募资31亿元，用于建设该6英寸碳化硅衬底项目。该项目于2021年11月启动，并于今年2月份完成厂房的整体设计，计划建成后实现年产能40万片。

根据晶盛机电董事长曹建伟博士在2月份曾公开表示，碳化硅项目完成厂房的整体设计后，项目预计今年3月动工。

此外，今年2月，晶盛机电在投资者交流会上透露，他们获得了意向碳化硅衬底订单，3年内将优先向客户A提供碳化硅衬底合计不低于23万片。