议长女士的半导体生意

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• 美国拟全面限制中国半导体

• 美光、SK海力士发布200+层NAND闪存

• 台积电成为舆论中心

都起开，这是议长女士的生意

最近佩洛西窜访的事情，大家都知道了。台积电创始人张忠谋、董事长刘德音与和硕副董事长程建也出席了窜访团的午宴。

值得注意的是，此时美国正准备推进527亿美元的芯片法案，获补贴的企业未来十年内禁止在中国新建或扩建先进制程的半导体工厂，而台积电也是补贴对象。

行业人士评论表示，台积电是主要目标之一，此举是逼迫台积电站队。CNBC评论表示，此次会晤证实了美国无法单独做到芯片制造商和全球半导体供应链的关键战略部署。

当然，整件事还有一个关键点，她的丈夫还曾重仓购买半导体股票。这在盘算什么，完全不需要解释了。错误行径注定不会得逞，必将自食其果。

半导体的套锁又紧了一点

为了限制中国半导体，美国已癫狂。

很久之前，美国就已在实体清单中限制半导体设备商向中芯国际供应10nm及以下技术节点的产品。最近，美国认为这还不够严厉，考虑把限制扩大到14nm及以下的设备。泛林集团（Lam Research）与科磊（KLA）两家半导体设备公司证实，已收到商务部通知。（彭博社，2022.7.30）就在不久前，美国还在游说ASML与Nikon停止DUV向中国出口。为什么揪住14nm不松手？这是因为目前中国能够代工最先进的制程节点就是14nm，同时14nm是进化到7nm的关键。

除了半导体设备，美国正考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国的芯片制造设备，其中包括128层堆叠以上的NAND闪存设备，目前生产该类设备的大厂包括应用材料（Applied Materials）和泛林集团（LAM Research）等，同时韩国的三星电子和SK海力士或许也会因此蒙受损失。（路透社，2022.8.2）目标很明确，如今国内大容量3D NAND闪存市场上仅有长江存储一家。

美国还盯上了EDA。据称，美国准备对一种特定类型的软件实施新的出口限制，这些软件是GAA这种新兴技术所必需的，对生产最先进的人工智能芯片至关重要，新的出口限制将在几周内实施。目前楷登电子和西门子暂无回应，新思科技发言人称，公司遵守所有美国出口管制。

这还没结束，下一步，8月9日拜登将正式签署527亿美元的芯片法案，（路透社，2022.8.3）获补贴的半导体企业未来十年内禁止在中国新建或扩建先进制程的半导体工厂，英特尔、格罗方德、美光、台积电、环球晶圆等产业巨头都在等着从中分一杯羹。

专家称，美国在半导体上像在跑马拉松，要获胜，要么美国跑得更快，要么绊倒中国。现如今，美国经济增长放缓，企业举步维艰，（《中国日报》，2022.8.1）美国却把全美国半导体的希望放在绊倒中国上，属实荒唐。

一些报道显示，这套组合拳也确实产生了一些影响，受芯片法案影响，韩国三星电子和SK海力士开始重新评估中国投资案。目前三星在中国西安拥有超百亿元投资额的存储芯片工厂，SK海力士则在收购英特尔闪存业务后，接手其在大连的闪存工厂。（《金融时报》，2022.8.3）也有媒体称一旦芯片法案通过，国内半导体产业的苦日子就要来了。

下周二，将会是半导体产业一次重大转折点，果壳硬科技也将持续关注动向。

闪存叠叠乐，叠出新高度

现在的NAND闪存市场，已完全化身为层数争霸，而这一数字也正式进入200+。

7月27日，美光宣布量产全球首款232层3D NAND闪存，NAND堆叠层数首次超过200层。时隔一周，8月2日，SK海力士便称成功研发全球最高层238层4D NAND闪存，并于明年上半年投入量产。（SK海力士，2022.8.2）

SK海力士似乎在诉说着潜台词：“不仅比你多6层，还比你多1D”。美光在推出232层NAND之前的上一代176层NAND于2020年11月发布，也就是说，等到SK海力士在明年上半年量产，如果没有其他对手干扰，238层能够称霸一年半载。

当然事情可能没有想象中那么顺利，市场上其他竞争对手也正蓄势待发。三星电子被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，预计在2024年之前正式推出超过200层的3D NAND。（财联社，2022.8.3）国内，长江存储发布第四代TLC三维闪存X3-9070，搭载晶栈3.0技术。

NAND闪存几乎用于目前所有终端设备中，对闪存来说，一定是层数越多越好，层数能有效提高存储密度。SK海力士曾画了个大饼，称2030年将推出800+层的NAND闪存。（Block Files，2019.8.7）但叠闪存层数也是在叠钞票的层数，昂贵的叠高高游戏还会继续，而且可能会越来越残酷。

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