东芝第三代SiC MOS性能提升80%，将在8月下旬量产

近日，东芝宣布第三代SiC MOSFET计划在今年8月下旬开始量产。

据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%！

据了解，东芝计划在2023年将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩增至2020年度的3倍，在2025年度进一步扩增到10倍，东芝的目标是最迟在2030年取得全球10%以上的市场份额。

今年2月4日，东芝宣布将在日本石川县的主要分立器件生产基地（加贺东芝电子公司）打造一座新的12英寸晶圆制造设施，以扩大功率半导体产能。总投资约1,000亿日圆（8.73亿美元），预计2025年3月投产。

东芝表示，该12英寸晶圆厂（100%使用再生能源）建造将分两个阶段进行，以便根据市场趋势优化投资步伐，第一阶段生产计划将于2024会计年度内启动。一旦第一阶段产能满载，旗下功率半导体产能将达到2021年度的2.5倍。