这家GaN企业将建新线，营收目标“数十亿”！

7月26日，瑞典林雪平大学官网宣布，他们衍生的氮化镓公司Swegan已成功获得1.25亿瑞典克朗（约8216万元人民币）的投资，资金将用于扩大员工数量（目前公司约有20名员工），并建设新的生产线。

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预计几年后，公司年营业额将从2021年的1700万瑞典克朗增加到2亿瑞典克朗（约1.3亿元人民币），而他们的营收目标是做到“数十亿”。

为什么有这样的底气？Swegan首席执行官onas Nilsson 表示，“我们每月接待一位新客户，这听起来可能不多，但我们的客户是世界上主要的半导体制造商。”

而更大的底气来自于GaN-on-SiC专利工艺——其氮化镓层比其他制造商更薄，同时性能更高、成本更低。

据了解，Swegan成立于2014年，专注于提供6英寸的GaN-on-SiC外延片。2020年年初，该公司搬到了林雪平的新工厂，扩大了2-3倍空间。

射频氮化镓技术方面，2020年10 月，Swegan的射频氮化镓外延片已经得到了一家半导体制造商的认可，正在进行最后的鉴定，2021年1月开始供货。据透露，当时还有20-30家公司已经或正在测试他们的材料，而欧洲客户已决定批量采用他们的产品。同时，还有2家半导体制造商已经开始跟Swegan讨论订购量。

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Swegan最近在氮化镓功率器件方面也取得进展。

6月30日，Swegan和查尔姆斯大学发表了《“无缓冲”异质结构上的高电压和低漏电GaN-on-SiC MIS-HEMT》文章，展示了他们高压氮化镓功率器件的最新研究成果。

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文章显示，他们的QuanFINE外延片适用于1200V应用的高压功率器件，展示了具有极低栅极和漏极漏电流的高压操作，实现了3.61 m Ω·cm2的特定导通电阻和1622 V 的击穿电压，漏极电流为22 nA/mm。

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Swegan首席技术官Jr-Tai Chen表示，基于功率器件对汽车性能的重要性，Swegan在这个电动汽车时代可能会有越来越多的机会。目前，他们正在与早期采用GaN功率器件的公司进行讨论，以推出能够发挥GaN真正优势的高压电源解决方案。

而根据台湾媒体报道，传统氮化镓外延方式试图加入了很多缓冲层来减少缺陷，因此厚度通常在2000-6000nm，但是厚度越厚，电阻越大，产生的热就会越多，造成散热较差，而且因为结构缺陷密度高，电压只能承载到650V。而SwegaN的外延厚度只有不到300nm，比传统方式薄20倍，承载电压可以达到1500V以上。

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