三星首批3纳米GAA芯片出货

7月25日上午，三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式。

韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人Kye Hyun Kyung、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。

据韩联社报道，Kye Hyun Kyung在致辞中表示，“三星电子凭借此次量产在代工业务上取得了成功。GAA技术的早期开发成功，将成为FinFET晶体管达到技术极限时的新替代品，是一项从无到有的产品创新结果。”

据悉，三星电子3nm芯片采用GAA晶体管结构，与5nm芯片相比，3nm芯片可降低多达45%的功耗，同时提升23%的性能和减少16%的尺寸。

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