今年4月,Wolfspeed纽约工厂开业,宣告8吋SiC提前2年量产。而最近,意法半导体和罗姆也公布了8吋SiC量产时间——2023年,量产进程也提前了1-2年,而且从衬底、外延到SiC MOSFET都将是8吋线。
8吋SiC量产,对外延、器件等环节有哪些影响?如何推动国产SiC衬底加快迈入8吋时代?今天,我们就来聊聊相关话题。
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罗姆:8吋SiC提前2年量产
据了解,2015年,罗姆就展示了8吋SiC衬底。罗姆2021年的公开信息显示,他们要在2025年才会量产8吋SiC。
而在近期的PowerUP Expo会议上,罗姆半导体美国总裁 Jay Barrus表示,他们将于2023年开始量产8吋SiC衬底产品。
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罗姆演讲PPT截图
最近,德国媒体Elektroniknet采访了罗姆子公司SiCrystal董事总经理Robert Eckstein,也证实他们将在明年量产8英寸SiC。
Eckstein表示,“我们目前正准备供应8吋SiC晶圆,从 2023 年起,我们将进入量产阶段。"
他还透露,从1997-2017年的 SiCrystal 的销售增幅较低,但自 2018 年以来,其销售额以平均每年 60% 的速度飙升,他们2022年l的碳化硅衬底产能几乎售罄。
为此,2022年SiCrystal的纽伦堡工厂计划扩产,人员方面将增加125%,达到450名左右。Eckstein称,“目前我们还在讨论在哪里新建一个SiCrystal工厂。”
产能计划方面, “SiCrystal的中期目标是每年生产10万片碳化硅衬底,并实现九位数的销售额”。 新闻来源:第三代半导体风向,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。