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来源:蔡云瑄发布时间:2022-07-131972浏览
询问 AI因应半导体先进制程发展,三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)正积极发展新封装技术,如三星正开发能搭载8颗高带宽存储器(HBM)模块的封装技术,SK海力士则发展混合键合(hybrid bonding)技术,最快有望再2025年投入量产。
据韩媒ET News报导,三星半导体封装事业Test & System Package(TSP)的封装设计组长吴京锡(音译)透露,继三星量产能搭载2颗HBM、4颗HBM的封装技术后,三星也即将完成搭载8颗HBM的封装技术开发。HBM是一种带宽远超越DDR/GDDR的高速存储器,但该存储器推叠技术难度高,需要相应的封装技术支撑。
2021年5月,三星开发出2.5D封装技术I-Cube4,实现搭载4颗HBM;接着在2021年底,三星又开发出可搭载6颗HBM的2.5D封装解决方案H-Cube。随着三星提高HBM搭载量,也将提高存储器产品效能,并渴望以此加快进军高效运算(HPC)、人工智能(AI)市场。
与此同时,三星正在筹备新一代3.5D封装技术。从技术方面来说,2.5D是在封装基板上铺设数据传输用矽中介层(interposer),采平面并排逻辑IC与HBM的技术,预计三星的3.5D技术将以2.5D为基础,再融合3D的垂直堆叠的封装方法。外界期待,三星若将3.5D技术投入量产,有望抢占新一代封装市场的主导权。
另一方面,SK海力士正致力发展新一代封装技术「混合键合」技术。从技术面来看,混合键合技术可进一步缩小键合间距(bond pitch),因此有提高I/O密度、带宽密度(bandwidth density),以及降低功耗等优点。SK海力士也透露,SK海力士的混合键合技术已有一定良率,预计2025~2026年实现商用化。
目前,除三星、SK海力士之外,台积电、英特尔(Intel)等竞业也积极投资新封装技术,盼能早一步确保竞争优势。韩媒亚洲经济也引述业界人士看法指出,随着高效能、高容量、超高速半导体需求剧增,令可以提升产品速度的封装技术、验证产品速度的测试技术越趋重要,虽然先前韩国在后段制程方面较无优势,但近来韩厂也迎来新变化。
新闻来源:DIGITIMES科技网,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。
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