7月5日，苏州锴威特半导体科创板IPO获上交所问询。锴威特拟募资近9000万元开展碳化硅项目。
根据招股说明书，锴威特此次IPO拟募资约5.3亿元，建设智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目以及功率半导体研发工程中心升级项目。
其中，SiC功率器件研发升级项目拟使用募集资金8727.85万元，主要涉及650V-1700V SiC MOSFET和SiC SBD的工艺优化、器件升级以及 SiC 功率模块的规模化量产。
锴威特的SiC功率器件收入方面，2021年度、2020年度、2019年度分别为100.50万元、38.64万元和2.35万元，初步实现了SiC功率器件的市场布局。
资料显示，锴威特半导体成立于2015年，主要从事功率半导体的设计、研发和销售。自2018年下半年开始研发 SiC 功率器件，积极布局第三代半导体领域。
招股书显示，锴威特吸引了不少产业链资本入股。
2020年，上市公司甘化科工斥资近6300万元入股锴威特半导体，目前持股19.1%，为公司第二大股东。自2017年起，锴威特半导体完成了多轮融资，投资方包括大唐电信、禾望电气、张家港金茂创投等企业。
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