根据科友半导体官方6月29日消息，科友半导体成功研制了SiC电阻长晶炉，并应用电阻长晶炉突破了高速率、高品质SiC晶体生长关键技术。据悉，科友半导体技术团队自2020年开始着手对SiC电阻长晶炉的热场设计、炉体研制和晶体生长关键工艺技术研究，以解决传统感应长晶炉所存在的多个难题，包括：长晶稳定性和一致性控制难，热场温度易受电力等影响波动，晶体长晶速率、厚度突破难度大，制约晶体向8英寸发展的径向温度不均匀等。历经三年的研发，科友半导体相继攻克晶体开裂、边缘多晶、表面多型等技术难题，具备自主知识产权的SiC电阻长晶炉和高速率、高品质晶体生长工艺技术正式诞生。2022年6月，科友半导体应用其电阻长晶炉成功制备出厚度超24mm、用时仅84小时，微管密度＜0.1 ea/c㎡，综合位错＜3500 ea/c㎡的SiC单晶。
图片来源：科友半导体据悉，科友半导体的电阻长晶炉能够对长晶全周期实现精准稳定的温度控制，并解决轴向径向温度强耦合问题，在长晶温度、热场控制、压力稳定等方面具有明显优势。电阻炉改进了热场结构，实现了多温区控制，加热方式和热场设计的变革也决定了该设备具备更低的晶体应力和更均匀的晶体生长条件，有效降低了晶体微管、位错等缺陷结构的生成。同时，得益于热场条件稳定，单台设备月运转炉次增多、效率增加。科友半导体成立于2018年，主要攻关第三代半导体材料和装备。公司在相继突破4英寸和6英寸SiC衬底和装备技术的基础上，不断向产业化方向迈进，目前已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系，具备规模化生产条件。其中，在电阻炉体设计和长晶技术上，科友半导体已申请获得自主知识产权专利技术5项。在晶体厚度方面，科友半导体也不断取得突破。以6英寸碳化硅晶体厚度为例，科友半导体在2022年2月突破20mm，2022年4月突破28mm，2022年6月突破32mm。
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