3纳米良率低于目标量产延后？三星：仍按计划在二季度推进

6月22日，三星电子否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后3纳米量产的报道。三星一位发言人通过电话表示，三星目前仍按进度于第二季度开始量产3纳米芯片。《东亚日报》此前报道称，由于良率远低于目标，三星3纳米量产将再延后。

6月21日，韩媒BusinessKorea报导，三星为赶超台积电，加码押注3纳米环绕闸极技术（GAA）技术，希望未来三年建立GAA技术的3纳米晶片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。

BusinessKorea报道说，据传三星6月初已导入3纳米GAA制程，进行试验性量产，成为第一家运用GAA技术的公司，希望技术能达成量子级的跃进，缩短和台积电之间的差距。

三星的策略是今年上半年把GAA技术应用于3纳米制程，计划明年把GAA技术导入第二代3纳米晶片。而台积电的策略则是在今年下半年以稳定的FinFET制程，进入3纳米半导体市场。

台积电日前披露，公司2纳米制程将于2025年开始量产后。三星则希望押注3纳米环绕闸极技术（GAA）技术，将在未来三年完成建立GAA技术的3奈米晶片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。届时，两家企业将同步量产最先进的2纳米制程。

据BusinessKorea报导，GAA是改善半导体电晶体结构的下一代制程技术，让闸极能够接触电晶体的四个侧面，相较于当前鳍式场效电晶体（FinFET）只能接触电晶体三个侧面的情况，GAA结构可比FinFET制程更精准控制电流。三星正押注把GAA技术应用到3纳米制程，以便追赶台积电。

据悉，三星3纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时与5纳米工艺相比，芯片面积减少了35%。