科友半导体：6英寸SiC晶体厚度突破32mm

今日，科友半导体发布消息，以公司自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm。

Source：科友半导体

据了解，科友半导体产学研聚集区项目一期工程逐渐收尾完工，这个年产10万片第三代半导体衬底材料生产线将于今年8月投产。

项目占地4.5万平方米，投资10亿元，分两期建设。据项目负责人介绍，这里将铺设100台套设备，预计年产值5亿元左右。目标是占有国内第三代半导体衬底材料20％以上的市场份额。

科友半导体成立于2018年，主要攻关第三代半导体材料和装备，已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系，具备规模化生产条件。

目前，公司自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。8英寸碳化硅衬底的技术攻关已经立项并正在有序推进，有望于年底前形成初步成果。（文：化合物半导体市场 Arely整理）

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