台积电：2024年取得ASML新EUV设备

台积电研发资深副总经理米玉杰在台积电于美国硅谷举办的2022年台积电技术研讨会(2022 TSMC Technology Symposium)上表示，台积电将于2024年引入ASML高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)微影设备，以开发客户所需相关基础设施和成像技术解决方案并推动创新。

不过，米玉杰没有透露台积电何时将以High-NA EUV设备投入大规模生产用途。台积电业务开发资深副总经理张晓强澄清，台积电不会在2024年准备好采用新High-NA EUV设备投入生产，将会主要用于与合作夥伴进行研究。台积电竞争对手英特尔(Intel)指出，将在2025年之前将High-NA EUV设备投入生产行列，并宣称英特尔将是首家收到这款第二代EUV设备的业者。

根据路透(Reuters)以及Tom’s Hardware报导，台积电也在这场技术研讨会中正式介绍其2纳米级N2制程技术，将是台积电首个采用GAAFETs技术的节点。台积电N2节点主要带来2项重要创新，分别是台积电称之为GAAFETs的纳米片晶体管(nanosheet transistor)、以及背电轨(backside power rail)，两者均有助提高节点的每瓦效能特性。

台积电将其N2节点定位在各式应用，包括移动系统单芯片(SoC)、高效能中央处理器(CPU)以及绘图芯片(GPU)。台积电并提到N2平台具备小芯片整合(chiplet integration)的特点，外界分析，这可能意谓许多将采用N2的应用也将采用多小芯片(multi-chiplet)封装技术，以优化效能和成本。

据此前报导，台积电将在2025年下半开始以其N2节点投入晶圆量产。外界以此推估，最快2025年底或到2026年后，才有可能见到商用2纳米芯片问世。

责任编辑：张兴民