SiC 市场最大的推动力是新能源汽车，比如特斯拉、比亚迪等头部车企已规模化采用 SiC MOSFET 芯片作为主控/电驱芯片，对于SiC企业来讲，“上车”是技术的分水岭，对企业的发展至关重要。
目前，几乎100%的汽车主驱逆变器都是采用进口SiC MOSFET，尽管车企正在寻找国产替代，也缩短了车芯的验证周期，但是车企对主驱采用国产SiC MOSFET依旧谨慎。
行业人士认为，这一方面是因为后端器件厂和车企仍对国产SiC衬底/外延材料的规模化应用存在顾虑，另一方面是由于SiC 衬底和外延层中的缺陷密度远高于硅，国产SiC衬底及外延行业只能供应SiC SBD，而无法占领车规级SiC MOSFET等高端应用市场。
因此，在满足车规级器件的严格要求方面，国产SiC衬底和外延材料的质量优化极为关键。
南京百识电子宣融博士告诉“三代半风向”，2016~2019年期间，他们就已陆续完成开发出4吋和6吋SiC外延片技术，其量产良率达96%，他所领导的团队具备10年以上超过5万片量产经验，能够为更多SiC企业上车提供助力。
今年1月18日，百识电子位于江苏扬州江都经开区的新项目签约，投资额8亿元，用于生产第三代半导体外延片。宣融博士表示，目前4吋和6吋SiC外延片生产线已完成建置，2022年已顺利进入批量生产阶段。
7月7日，百识电子总经理宣融博士将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，届时他将发表以《碳化硅外延生产技术》为题的演讲，分享他们在外延片方面的量产工艺，深入解读SiC外延如何帮助企业提高新能源汽车、光伏逆变器芯片良率。 新闻来源：第三代半导体风向，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
