又有12吋氮化镓技术！怎么做到的？

英特尔和晶湛12英寸GaN技术非常受人关注，昨天，又有一家GaN企业号称可以做到12英寸，而且是“3D”技术，5G射频和功率器件“通杀”。

该企业号称，他们的氮化镓是”终极“技术，究竟有哪些过人之处？今天我们就来解读一下。

FinFET氮化镓面世可扩展12英寸6月14日，外媒发文称，Finwave半导体公司可提供8英寸 3D FinFET氮化镓技术，帮助解决5G挑战。该项目获得了美国能源部432万美元（约2900万元人民币）的资助。

Finwave的前身是剑桥电子公司，由麻省理工学院的研究人员于 2012 年创立，或许是为了避免与“剑桥氮化镓公司”重名， 2022 年该公司改用新的名字Finwave。

报道称，Finwave联合创始人Tomas Palacios教授和Bin Lu博士合作发明了多种技术，其中包括一种基于 FinFET 架构的新型氮化镓晶体管。该技术具备2个优势：首先，得益于他们的专利蚀刻自停止技术，他们开发了使用标准硅铸造厂的工艺技术，已于2020年展示了第一个使用8吋硅CMOS工具制造的GaN FinFET。由于采用硅晶圆，他们的氮化镓可以从8英寸扩展到12英寸。目前，他们正在计划将该技术转移到一家位于美国的8英寸硅晶圆制造厂，并与外延晶圆供应商、代工厂以及芯片和模块制造商合作，共同开发产品。