英飞凌推出Sixpack三相桥碳化硅产品系列

据了解，近日，英飞凌推出Sixpack三相桥碳化硅产品系列，新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。

CoolSiC技术取得的最新进展，M1H芯片的栅极驱动电压窗口明显增大，推荐的VGS（on）为15-18V，VGS（off）为0-5V，最大栅极电压扩展至+23V和-10V。从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。VGS（th）稳定性的提高，大大减少了动态因素引起的漂移。

此外，允许该器件在175°C以下运行，以满足各种应用的过载条件。器件的基本理念没有改变，芯片的布局和尺寸没有改变。

第一批推出的型号包括Sixpack三相桥，三电平NPC2和半桥拓扑产品，封装分别采用Easy 1B， 2B和3B。有了这第一个全碳化硅的CooSiC™ EasyDUAL™ 3B功率模块，英飞凌的工业级碳化硅产品系列就是目前市场上最广的。（文：化合物半导体市场整理）

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