英特尔最新一代Intel 4制程工艺首次采用EUV，性能提升20%

英特尔最新一代Intel 4制程工艺首次采用EUV，性能提升20%，预计明年14代酷睿首发

据AnandTech报导，英特尔介绍下一代Intel 4制程工艺，该将用于2023年发布的产品，它是英特尔第一个采用EUV的制程工艺，是Intel 7晶体管密度的2倍，性能提升超20%，14代酷睿首发。

Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的Meteor Lake处理器，该处理器有望成为英特尔第 14 代酷睿处理器的基础。Meteor Lake还将成为英特尔的第一个基于tile/chiplet的客户端CPU，使用I/O内核、CPU内核和GPU内核等tile模块。英特尔已启动流程在实验室中运行了Meteor Lake，预计将于2023年发布。

英特尔公布的数据显示，Intel 4的鳍片间距降至30纳米，是Intel 7的34纳米间距尺寸的0.88倍，栅极间距CPP现在为50nm，低于上一代的60nm。最小金属间距为30nm，是Intel 7的0.75倍。英特尔称Intel 4的HP库单元高度为240nm，仅为Intel 7的0.59倍，令晶体管尺寸减少了一半，晶体管密度是Intel 7的2倍。

报道称，Intel 7的HP密度为8000万个晶体管每平方纳米，推算Intel 4的HP密度约为160MTr/mm2。Intel 4上的SRAM单元的大小仅为Intel 7上相同单元的0.77倍左右，因此，虽然标准化逻辑单元的密度翻了一番，但SRAM密度仅提高了30%左右。