长江存储挑战232层3D NAND 超车国际大厂掀竞赛

先前长江存储2021年曾遭遇128层NAND良率提升缓慢，业界预期，在128层NAND量产步入稳定后，长江存储下一阶段目标将锁定192层规划，不过近日市场传出，长江存储的技术改良突飞猛进，随着全球NAND Flash储存密度升级及堆叠层数进展加快，长江存储目标将直接攻取232层NAND堆叠，将比照美光的量产进度，并传出将陆续交出232层TLC NAND样品至供应链进行验证，进展速度之快已引起业界的高度关注。

业界估计，长江存储在迈入232层3D NAND量产后，虽然技术竞争力大幅提升，甚至超越计划2022年底前量产162层NAND的铠侠，但短期内的量产制程应以128层为主力，预计新一代232层NAND的供货比重在逐步提升下，2023年将可望达到20%左右。

长江存储的技术推进脚步虽是一路顺畅开快车，但存储器供应链认为，中美国际关系持续将僵化，近期更不时传出美国鹰派人士主张祭出限制重手，将长江存储列入出口管制实体清单，尽管目前并未发布强硬禁令实施，然而空穴不来风的传言纷扰确实令不少国际客户感到忧心，深怕一旦采用长江存储产品将可能延伸其他国安疑虑及争议。

此外，长江存储的武汉二期厂房硬件建设已完成，为了推展232层3D NAND量产，势必将引进国外设备大厂的新机台，近期在美国商务部依旧紧迫盯人的压力下，若禁令管制成真，恐将导致美国半导体关键设备供应商供货管道中断，即使勉强推动新时代NAND进入量产，在缺乏后续维修支持下，依旧无法长久运作，可能导致国际大厂在长期供应变量难料下选择却步。

尽管长江存储拓展国际客户仍有瓶颈待突破，国内本土供应链依旧买单支持，适逢近期在疫情封控下冲击国内市况萧条，消费性电子应用需求疲弱，2022年下半NAND Flash恐陷入价格走跌态势，长江存储232层3D NAND传出将以1Tb单芯片为首波量产规格，重点瞄准数据中心及企业级储存的高端应用市场，然而相关应用的进入技术门槛较高，且数据储存牵涉网安的敏感度也较高，未来232层NAND进入量产后，能否顺利导入大厂供应链仍将有待观察。

长江存储采取截弯超车国际大厂的攻势来势汹汹，美光也在DRAM与NAND制程技术取得领先地位，对于其他NAND原厂已造成追赶压力。三星电子在176层NAND遭遇美光逆转赶上的打击后，传出三星将加速224层V-NAND量产脚步，最快在2022年底或2023上半年推出。

至于NAND二哥铠侠已有多年停留于112层NAND，预计2022年底前开始量产162层，面对业界高层数堆叠竞争导致技术优势丧失的危机，据传，铠侠也规划将采取跳级策略，其策略伙伴威腾电子(Western Digital)在日前宣布技术进程时透露，下一代将达到212层堆叠技术，届时将率先应用于数据中心领域，并再扩大应用于消费市场。

随着长江存储的最新规格与性能快速跟上一线大厂的脚步，除了232层TLC NAND外，下一波也将推出232层QLC NAND产品，同时2022年上半产能规模达到10万片，市场预期，其全球NAND市占率可望从3~4%起快速拉升，预计未来数年内将陆续成长至6~7%，目标朝向至10%全球市占率，配合3D NAND堆叠技术急起直追，将在全球NAND产业占据重要话语权。