锴威特拟科创板IPO：募资约5.3亿元投建三大功率半导体等项目

6月13日，上交所正式受理了苏州锴威特半导体股份有限公司（简称：锴威特）的科创板上市申请。

据了解，锴威特主要从事功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。

在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司专注于功率驱动IC和电源管理IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已小批量出货。

通过自主创新和技术沉淀，公司已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术和特色晶圆制造工艺，现已搭建多个功率半导体细分产品的技术平台。

凭借高性能的产品，苏州锴威特半导体在行业内形成了较强的市场竞争力。结合Omdia研究数据，以发行人2020年MOSFET产品销售额测算，苏州锴威特半导体全球MOSFET市场的市场份额约为0.23%；另根据江苏省半导体行业协会统计，2020年苏州锴威特半导体FRMOS产品的国内市场占有率约为6%，位列本土企业第四位；SiC功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

三年间经营业绩稳步增长

近年来，随着消费电子、工业控制、新能源汽车市场的高速成长，推动锴威特的功率半导体业务持续发展。

公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进行自主研发和创新，将科技成果与产业深度融合。凭借自主研发的高性能产品，锴威特也与多家高可靠领域客户建立了合作关系。

截至目前，锴威特已拥有包括平面MOSFET、功率IC等近700款产品。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，客户包括以晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户，并且产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。

具体来看，在功率器件方面，公司已同时具备硅基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。

其中，在平面MOSFET方面，公司核心技术具体包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等。其中，公司利用“高压MOSFET的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的FRMOS产品具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干扰的优势特性；在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiCMOSFET稳定的性能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标，增强了产品市场竞争力。

苏州锴威特半导体股份有限公司近三年财务数据

在功率IC方面，公司基于0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工艺设计平台，完成了多款功率IC所需的IP设计与验证，并基于已验证的IP成功开发了近40款功率IC产品；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。

凭借强有力的产品线，锴威特近三年的主营业务收入也迎来持续的增长。从2019-2021年，公司主营业务收入分别为10,575.54万元、13,383.49万元和20,318.15万元，2020年和2021年同比分别增长26.55%和51.82%。其中，平面MOSFET为公司实现大规模销售的主要产品，该产品收入占主营业务收入的比例分别为86.71%、88.39%和83.07%。

募资约5.3亿元投建三大功率半导体等项目

招股书显示，锴威特此次IPO拟募资约5.3亿元，投建智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目，以及用于补充营运资金。

图源：苏州锴威特半导体股份有限公司招股书

其中，智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率IC、IPM、光继电器（Photo MOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET（包括 FRMOS）、第三代超结 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽栅 MOSFET 产品；功率 IC 包括高压高速栅极驱动 IC、高功率密度电源管理IC 产品。

该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率 IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。

而SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产。

在SiC功率器件方面，一是SiCMOSFET、SiCSBD由4寸晶圆升级到6寸晶圆的研制；二是在SiCMOSFET基础上开发集成SBD器件，开发出650V和1200V的SiCSKMOS。

在SiC功率模块方面，包括SiCSKMOS功率模块和集成功率驱动的SiCSKMOSIPM智能功率模块的研发。SiC功率器件及SiC功率模块的研发、规模化量产及销售，可以有效丰富公司产品品类，扩大产品的应用范围，提高公司SiC产品的供货能力，从而提高公司盈利水平。

功率半导体研发工程中心升级项目将对功率器件和模块封装可靠性、SiC高温封装、应用、基于 SiC MOSFET 制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行持续深入研究。该项目基于公司现有技术进行了前瞻性布局，有利于提升公司的技术创新能力，进一步丰富技术储备。项目的实施一方面可以推动公司现有产品的优化升级，提升公司产品附加值；另一方面可以推动研发成果的成功转化，有助于丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增强公司的盈利能力。

此外，在器件可靠性考核与测试应用能力方面，随着可靠性实验室及测试应用中心的建设，公司通过购置先进的测试设备，有利于完备公司可靠性考核能力，有助于提高产品良率，提升出厂产品的质量，更好的满足和服务于工业级及高可靠领域客户对产品品质的需求，同时，也使得公司具备完善的测试评价平台，并能够有效制作产品应用方案，指导客户更好的使用公司产品，从而有利于产品的市场推广。

未来，公司将继续专注于功率半导体的设计、研发与销售，坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，聚焦消费电子、工业控制和高可靠领域，在新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域展开布局；在目前掌握的核心技术基础上，展开产品系列化及下游市场的进一步拓展、延伸。