SiCMOSFET新进展！进军车规、工控领域

最近，澎芯半导体的SiC MOSFET产品喜获新进展——成功研制出具有低比导通电阻的SiC MOSFET，并已获得充电桩、光伏逆变器和新能源汽车客户的认可和采用。

SiC MOS通过1000小时考核

已在车规、工控领域通过系统测试认证

据介绍，澎芯此次上市的是一款1200V SiC MOSFET。

目前，该产品已通过1000h的可靠性考核，并且联合客户在100KHz频率下，分别搭载2500W的开环Boost电路和2500W的三相逆变桥式电路的应用系统测试评价，非常出色地呈现SiC MOSFET产品在高频率和高效率方面的性能优势，并顺利通过客户的系统测试评估认证。

据了解，Boost电路测试条件的环境温度为25℃，驱动电压为Vgs=+18V，关断电压为Voff=-5V，输出功率2500W，实测器件温度为86℃，测试结果如下图所示：

三相逆变桥式电路(高压电机驱动)测试条件的环境温度为25℃，驱动电压为Vgs=+20V，关断电压为Voff=-5V，输出功率2500W，实际上下桥臂温度为56℃，测试结果如下图所示：

澎芯半导体告诉“三代半风向”，该产品已经陆续配合充电桩、光伏逆变器和新能源汽车领域的客户进行系统测试认证或工程批试产。
澎芯半导体表示，他们能快速推出高可靠的SiC MOSFET产品，主要基于以下3点：● 公司团队成员均来自国内顶尖半导体公司，在半导体器件领域有着20年以上的经验，尤其在SiC功率半导体研发也已深耕八年之久；● 公司核心团队有着准确的产品研发赋能和精准的产品市场定位；● 晶圆产线的密切技术合作，以及高效的工艺开发配合。

SiC SBD已获批量化订单

打入快充、充电桩等领域

除了新推出的SiC MOSFET产品之外，澎芯半导体的650V和1200V SiC系列化肖特基二极管，已陆续得到客户的高度认可和批量化订单，包括快充电源、充电桩、IPM模块等方面客户。
据介绍，澎芯的SiC SBD产品具有低正向压降（典型1.26V），高抗浪涌电流（典型11倍）和低反向漏电流（典型5uA）的性能优势。
目前，澎芯半导体已垂直整合国内外的产业链优质资源，形成稳定批量化产业平台，专注于器件设计研发，欢迎广大朋友来电垂询。