英飞凌推出600 V CoolMOSTM S7

该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外，10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的器件。

该产品系列专为低频率的开关应用而开发，旨在降低它们的导通损耗，确保响应速度最快和效率最高。CoolMOS™ S7器件甚至实现了比CoolMOS™ 7产品更低的RDS(on) x A，因而能够成功地抵消开关损耗，最终实现导通电阻降低和成本节省。对于高压开关而言，CoolMOS™ S7产品拥有市面上最低的导通电阻(RDS(on))。此外，10 mΩ芯片采用创新的顶面冷却QDPAK封装，22 mΩ芯片采用先进的小型TO无引脚(TOLL)SMD封装。