【下载】ST600-650VMDmeshDM9超结快速恢复功率MOSFET提高了效率和稳健性

来源:意法半导体PDSA发布时间:2022-06-09953浏览

新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性

ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广泛的封装选项，包括长引线 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。