无锡公示高端芯片和人工智能领域“揭榜挂帅”项目清单

来源:今日半导体发布时间:2022-06-08313浏览

免责声明：内容如有侵权，请联系本部删除！（手机微信同号15800497114）

来源：无锡市科学技术局

6月7日，无锡市科学技术局公示2022年度无锡市“太湖之光”科技攻关计划“揭榜挂帅”项目（高端芯片和人工智能领域）拟发布榜单，公示时间为2022年6月7日至6月13日。

这份“揭榜挂帅”项目名单中，含有面向芯片三维集成的晶圆级混合键合技术研究、氮化镓(GaN)智能功率模块的研发、PCIE3.0 交换芯片研发、基于巨量转移技术的 COB&COG 封装 MicroLED 显示模组研发、智能办公软件的研发、面向分布式光伏电站的人工智能云平台研发等项目。

面向芯片三维集成的晶圆级混合键合技术研究

最高支持金额 100 万元，针对大尺寸晶圆(12 英寸及以上)开展微米级（节距≤10μm）低温(≤250℃)无凸点混合键合工艺研究，对化学机械抛光工艺、等离子体激活工艺和键合退火等关键技术环节展开攻关，实现高键合强度（键合能≥2 J/m2）的成套工艺。

氮化镓(GaN)智能功率模块的研发

最高支持金额 300 万元，研究氮化镓功率器件驱动芯片传输延时、抗 dVS/dt 能力、VS 负偏压能力、抗 EMI 能力四者之间的折衷关系，解决频率升高导致抗 EMI 能力不足和驱动芯片延时缩短导致的抗 dV/dt 能力不足等问题，完成氮化镓功率器件及其驱动芯片的研制，并通过多芯片单封装技术完成氮化镓智能功率模块的研发。

PCIE3.0 交换芯片研发

最高支持金额 200 万元，基于PCIE3.0标准协议，设计研发高速交换芯片，完成国产工艺下高速SerDes、高带宽交换电路设计和多端口存储定制设计，实现处理器直连交换技术。对标国外同类交换芯片，采用自主研发并在国产工艺生产线实现该芯片，实现芯片在高端AI服务器及云服务器上的应用。

基于巨量转移技术的 COB&COG 封装 MicroLED 显示模组研发

最高支持金额 200 万元，通过巨量转移技术研究优化 COB封装工艺，开发 COB 产品，产品间距范围覆盖 P1.25~P0.9，确保转移良率达 99.99%；研究优化 COG 封装工艺，开发 COG产品，产品间距范围覆盖 P0.8 及以下，实现在透明显示屏及家用电视端应用

此处广告，与本文无关