ST发表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能

意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET电晶体适用于设计资料中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器（Switched-Mode Power Supply，SMPS）。

意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提升功率密度与效能

650V STP65N045M9与600V STP60N043DM9为首批上市的两款元件，其单位面积的导通电阻（RDS(on)）非常低，可以最大限度提升功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻（RDS(on)max）皆领先同类产品，STP65N045M9为45mΩ，STP60N043DM9则为43mΩ。由于闸极电荷（Qg）十分低，在400V汲极电压时的典型值为80nC，两款元件皆拥有目前市面上一流的RDS(on)max x Qg品质因数（FoM）。

STP65N045M9的闸极阈开启电压（VGS(th)）典型值为3.7V，STP60N043DM9的典型值则为4.0V，相较上一代的MDmesh M5和M6／DM6，可最大限度地降低开关损耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）亦极低，有助于进一步提升效能和开关性能。

意法半导体最新高压MDmesh技术另一特点是增加铂扩散制程，确保体反应速度快的寄生二极体。该二极体恢复曲线（dv／dt）峰值高于早期制造技术。MDmesh DM9全系列产品皆具非常高的稳定性，在400V电压时可耐高达120V／ns的dv／dt曲线。

意法半导体新MDmesh M9和DM9产品STP65N045M9和STP60N043DM9均采用TO-220功率封装，现已量产，2022年第二季末将由代理商销售。2022年底前还将增加标准贴装和通孔封装。