三星V8或将采用224层堆叠技术，最快2023年上半年量产

据韩媒报道，三星电子原计划在2021年底量产176层3D NAND，但由于考虑到当时的市况，最终决定延后至2022年。对于200+层3D NAND研发进展，美光和西部数据最新技术路线图显示，美光预计在2022年底开始推出232层产品，西部数据BiCS7预计将达到212层。

至于三星下一代3D NAND产品研发，报道称，三星将加快200+层3D NAND量产脚步，具体堆叠层数或将采用128层叠加96层工艺，最终获得224层3D NAND，最快或将在2022年底或2023年上半年开始量产供应市场。

近日，三星电子半导体研发中心新任主管宋在赫在朝鲜日报上发文称，三星已经掌握了200层以上第八代V-NAND技术，未来将引领1,000层堆栈NAND时代到来。同时，宋在赫强调，三星采用的3D微缩技术，能够使3D NAND整体体积减少30%以上，意味着即便是同样的176层，三星电子的第七代V-NAND也有信心相较对手更具竞争力。