【半导光电】前沿进展|新型波导侧壁光栅低噪声半导体量子点DFB激光器

图1 (a)非晶硅侧壁耦合光栅结构示意图，(b)非晶硅光栅SEM俯视图，(c)脊宽为2.1 μm，腔长为1.5 mm激光器的IPV曲线，(d) 室温 100 mA 注入电流下LWDM激光器阵列光谱，(e)室温不同注入电流下激光器相对强度噪声曲线，(f) 不同注入电流下 5 GHz 频率的相对强度噪声与反馈强度关系曲线，插图为注入电流为4 倍阈值时不同反馈强度下的光谱变化新型光栅高稳定的耦合反馈系数使得激光器能够在连续变电流条件下单纵模激射，具有极高的单模成品率，80 mA注入电流下边模抑制比达 52.7 dB。半导体自组织量子点对载流子的三维限制作用以及极小的线宽增强因子，与新型光栅的高品质单模特性相结合，使得该新型DFB激光器展示出高温度稳定性，在高电流注入下实验测得了低于­165 dB/Hz 的超低相对强度噪声[图1(e)]，以及大于­12.5 dB（5.9%）抗光反馈能力[图1(f)]。

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