第三类半导体需求日益明确 德仪、英飞凌加大推展力道

IDM大厂针对第三类(宽能隙)半导体布局正如火如荼地进行当中，除持续扩充产能满足市场需求外，也持续扩大应用产品的开发范围。

德仪(TI)副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣于本次COMPUTEX Forum上针对氮化镓(GaN)在数据中心的电源管理系统应用提出看法，认为全球数据中心规模快速成长，对于供电效率的改善刻不容缓，而GaN的技术特性在数据中心领域可以找到优异的切入点。

事实上，数据中心应用对功率的需求并没有像汽车或工业场域这麽高，反而是要求更快的开关频率，来提升电源的使用效率，因此GaN确实是更为符合数据中心需求的材料。李原荣指出，数据中心虽然都是以大规模的建筑呈现，但为了散热和提升空间利用效率，服务器还是会希望可以减少内部模块的体积，而采用GaN正是减少电源模块体积的最佳解。

随着各产业领导者期盼透过数据中心实现技术创新，从而也提高了运算能力的需求，德仪希望协助客户充分发挥GaN技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率，此外，德仪的自有产能和长期投资们能快速扩展GaN等各项技术，以满足不断成长的市场需求，进而以更高效率处理更多数据。

另一方面，英飞凌(Infineon)近期也提到宽能隙半导体的发展近况。英飞凌电源与传感系统事业部资深协理陈清源指出，目前无论是GaN还是碳化矽(SiC)，应用发展都如先前预期，SiC专门往大功率的应用需求发展，而GaN则是往轻薄短小，且需要高开关频率来提高供电效率的应用为主。

陈清源认为，考量到成本效益，长期来看传统矽基产品仍然会是功率半导体市场主流，矽基产品与GaN、SiC将会共存，未来5年宽能隙半导体的市占率最多只会达到2成左右，但这2成就有机会为相关业者带来可观的成长动能，因此相关产品的开发也会持续进行。

德仪对宽能隙半导体耕耘已久，虽然没有明确提出针对GaN和SiC的扩产规模，仅指出会随着市场需求陆续提高相关产能，但从德仪近期投资，并从2022~2025年陆续启动量产的6座晶圆厂规模来看，扩产规模将相当可观。

英飞凌方面，也确定在奥地利菲拉赫、德国得勒斯登、马来西雅居林扩充新的前端产能，其中菲拉赫的新扩产资金总额达到16亿欧元，并确定针对SiC和GaN都会进行产能扩充。

责任编辑：朱原弘