芯塔电子推出1200VSiCMOSFET，计划车规级模块封装线建设

5月23日，国产碳化硅器件设计公司芯塔电子在官网发布了芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试情况，同时表示SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售，包括军工、新能源汽车、充电桩等领域，同时也已获得众多客户的咨询和明确需求。

据了解，依靠十多年的技术积累，芯塔电子通过与合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术，研究栅氧的物理机理，改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率，使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻，性能达到国际先进水平。

芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试

 

国外知名C公司1200V SiC MOSFE应用测试

公司技术扎实、产品线丰富

据了解，芯塔电子2020年成立于安徽芜湖，是一家国内领先的坚持自主创新的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商，公司核心团队由来自浙江大学、清华大学、中科院及海外知名院校资深人员组成，具有深厚的产品研发能力和产业化经验。

公司新一代1200V SiC MOSFET芯片尺寸减少30%，已经通过可靠性测试，获得众多客户的咨询和明确需求。同时，年初芯塔也对外透露，2022年还将推出1700V SiC MOSFET与2款全SiC功率模块。

芯塔电子已对外发布了40余款碳化硅二极管，产品性能对标国际先进企业最新产品，可完全满足高端电源、充电桩、光伏等领域的应用。

目前，公司产品包括：6英寸SiC肖特基二极管芯片，650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件，SiC MOSFET器件和模块等，并逐渐形成比较完整的功率器件产品体系。

公司目前已积累上百家客户资源，并进入了行业标杆客户。在资本方面，获得了政府的有力支持和头部资源投资，此举将助推公司更加快速的发展。未来，芯塔电子将加快创新驱动，携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。

下一步规划

年初，在接受媒体采访时，公司创始人倪炜江博士表示：“芯塔电子技术团队凭借十多年研发和工艺经验积累，开发出了性能优越品质可靠的碳化硅产品。产品的设计及验证均按照车规级标准执行，技术参数可对标国际一线公司的最新产品，满足高端领域的国产化替代需求。”

下一步，在研发方面，将持续加大研发投入，加快产品升级迭代，不断开发新型功率器件和模块，将重点布局车规级产品，致力于提供完整的应用系统整体解决方案，加快在新能源汽车领域的推广。

 

产业化方面，芯塔电子正在计划车规级碳化硅模块封装线建设。当前碳化硅基本采用传统硅基封装方案，需要新的layout布局、工艺技术和封装材料，才能充分发挥碳化硅器件优势。新建的模块封装线将紧密结合新能源汽车对新型SiC MOSFET模块的需求。