ST600-650VMDmeshDM9超结快速恢复功率MOSFET提高了效率和稳健性

新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性

ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广泛的封装选项，包括长引线 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。 

最新的快速恢复体二极管超结MOSFET技术针对要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器进行了优化。

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的击穿电压范围600 - 650V，降低了反向恢复效应，提升了最高允许di/dt和dv/dt。具有极低的通态电阻(RDS(on))和栅电荷(Qg)，与同类竞争器件和意法半导体先前的技术相比，帮助设计人员获得了更高的效率水平。

关键特性

• 行业领先的品质因数(RDS(on) x Qg)

• 体二极管反向恢复时间(trr)性能提高

• 提高了dv/dt(120V/ns)和di/dt能力(1300A/μs)

• 优化了体二极管恢复阶段和平缓性