瞄准Micro LED元宇宙商机 韩厂研发红光GaN磊晶硅片

韩国氮化镓(GaN)研发业者Soft-Epi成功透过GaN中的氮化铟镓(InGaN)生成红光LED，目标在晶圆上一次生成红、蓝、绿光，有望协助韩国Micro LED技术的发展。

根据ET News报导， Soft-Epi日前宣布成功研发并推出红光GaN磊晶硅片(Epi Wafer)，成为韩国首例，有助于提高Micro LED的效能。Micro LED被视为能够实现元宇宙(Metaverse)的重要技术，无论是虚拟实境(VR)、增实境(AR)、智能手表等皆需要使用Micro LED技术的新一代面板。

既有的Micro LED主要使用磷化铝铟镓(AlGaInP)作为材料生成红光LED，不过AlGaInP表面复合速度快，芯片越小光效也会急遽降低，且在转印制程时良率也会大幅下降，导致成本大幅提升，量产难度高。

Soft-Epi以GaN磊晶硅片作为解决方案，目前GaN已可用于生成蓝光及绿光LED，因此让红光LED也能够透过GaN生成是最理想的情况。不过因技术难度高，全球约只有四、五家业者能够实现相关技术，这些业者也几乎仅与Meta、Google等大厂签订合约，因此许多业者因为无法取得红光GaN磊晶，在Micro LED研发上面临困难。

Soft-Epi于2021年研发红光氮化镓并成功演示受到业界关注，目前正致力于提高效能，并宣布将推出红光GaN磊晶硅片，计划提供予有需求的Micro LED研发业者。红光GaN磊晶硅片最终目标是能够在晶圆上一次生成红、蓝、绿光，进一步得以省略转印制程及晶圆键合(Wafer Bonding)制程。Soft-Epi继日前成功在一片晶圆上生成红光及绿光后，计划在2022年内展示生成包含蓝光的技术。

责任编辑：陈至娴