最近，“三代半”获悉，国内外又有2个8吋氮化镓工厂即将建成。
聚能国际：氮化镓工厂封顶
5月18日，赛微电子官微宣布，他们与潍坊市青州市合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房正式封顶。
聚能国际首席运营官王永海介绍道：“我们目前已完成基建施工和主体厂房封顶，下一阶段启动建设洁净室机电工程，计划在今年10月开始搬入设备，并争取在今年内完成设备的安装与调试。”
报道称，该项目计划总投资10亿元，预计建成后总体产能为6万片/年。其中，一期产能建设投资5亿元，产能为3万片/年。
聚能国际半导体于2021年5月成立，是聚能创芯的子公司。而聚能创芯是由赛微电子于2018年7月投资设立，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发。
截至目前，聚能创芯在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品。
韩国A-Pro：将量产8吋氮化镓
5月16日，A-Pro Semicon宣布，他们已经开始量产200V以下低压GaN，并预计低功率GaN半导体将成为他们新增长的催化剂，打入移动设备、激光雷达、物联网设备、小家电和无线充电等市场。
此外，A-Pro Semicon今年成功稳定了8英寸650V高压GaN外延片的良率。据了解，去年A-Pro Semicon通过引进并开始运营韩国首台8英寸外延片量产设备MOCVD，目前实现了99%的均匀度，达到了全球标准。
同时，A-Pro Semicon的氮化镓还实现了接近1000V的电压。A-Pro Semicon表示，他们正在通过高压GaN半导体的持续量产和低压GaN半导体等新产品的开发，实现盈利渠道的多元化。
据介绍，A-Pro Semicon是A-Pro集团半导体部门于 2020 年成立的分拆公司，目标是开发和生产基于GaN的功率和5G射频半导体器件。
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