东京电子投资3.6亿美元新建等离子蚀刻设备开发大楼

据日媒报导，东京电子为满足半导体市场日益增长的需求，向其制造子公司东京电子宫城县总部工厂投资470亿日元（约合3.6亿美元），并在等离子蚀刻等半导体制造设备上投资470亿日元. 宣布已决定兴建发展大楼。

由于社会的数字化，预计半导体市场未来将进一步扩大，东京电子宫城开发和制造的蚀刻制造设备市场将随着图案化技术的发展而不断进行技术创新，预计将迎来有很大的增长.

基于这样的市场背景，东京电子将通过建设新的开发大楼，进一步加强技术开发能力，预见不断扩大的市场和多样化的技术需求，及时提供具有客户所需功能的产品，将有助于中长期的可持续增长和社会发展。

对东京电子而言，干法蚀刻设备是占销售额40%的招牌产品，拥有30%的世界市场份额，但与美国的竞争很激烈。

新开发的建筑为三层建筑，总建筑面积46000平方米，将于2023年春季开工建设，计划于2025年春季竣工。此外，该公司计划增加几乎所有制造基地的产能，称产能短缺可能比预期的要早。