美光发布：232层3DNANDFlash
来源:半导体行业联盟发布时间:2022-05-14410浏览
询问 AI 美商记忆体大厂美光（Micron）台北时间12 日发表业界首个232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体，计划用于各种产品包括固态硬盘，2022 年底左右开始量产。232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体采用3D TLC 架构，原始容量为1Tb（128GB）。记忆体基于美光CuA 架构，并使用NAND 字符串堆叠技术，彼此顶部建立两个3D NAND 阵列。CuA 设计的232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体大大减少美光1Tb 3D TLC NAND Flash 尺寸，有望降低生产成本订出更有竞争力的定价，或增加利润。美光并没有宣布新 232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器的 I/O 速度或平面数量，但暗示与现有 3D NAND Flash 快闪存储器设备相比，新存储器提供更高性能，对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。美光还强调 232 层堆栈 3D NAND Flash 快闪存储器比上一代产品更节省功耗，更具节能优势。美光推行芯片远期定价协议 10名客户已签约
美光科技 (Micron) 周四 (12 日) 宣布为旗下芯片推行名为「远期定价协议」的新机制，盼能解决让半导体产业多年来苦恼的价格波动问题，目前已有 10 名大客户签约，协议为期至少三年，估计一年可带来超过 5 亿美元收入。美光商务长 Sumit Sadana 在旧金山举办的投资者日上宣布此消息，但强调现阶段仍是「试验」性质，并且拒绝透露可能有多少现有的长期合约客户转移到新机制。Sadana 说，长约客户以采购量而非价格为基准，但远期价格协议把规模和价格都考虑进去了。针对合约是否可能强制执行的问题，他坦言，议约两方总是对价格有不同看法。他并表示，美光不打算用降低毛利率的方式推动远期定价协议。「过程中难免有起伏，但最终带来的好处，将超越达成此协议所面临的风险。」针对营运展望，美光预估长期营收将交出偏高的个位数增幅。DRAM 和 NAND 存储器芯片在未来几年都将有强劲的成长，主要由汽车、资料中心、工业终端市场日益增加的需求带动，这将降低美光对个人计算机 (PC) 和智慧手机业务的依赖。美光执行长 Sanjay Mehrotra 表示，接下来到 2025 年之间，DRAM 业务的年成长率预估介于 14% 至 19%，NAND 的年成长率更将超过 20%。Mehrotra 预估，整体存储器产业的规模将能在 2030 年之前达到 3300 亿美元，较 2021 年的 1610 亿美元成长逾一倍。存储器芯片占芯片业比重，已经从本世纪初的 10% 上升到 30%。美光宣布加发股利 10%，使季配息增至 11.5 美分，是该公司自 2021 年 8 月首度启动配息计划以来的首度加码。美光也正积极实施库藏股计划，本季 (5 月止) 共已回购 7 亿美元。美光股价周四上涨 1.1% 至每股 67.71 美元，但今年来由于科技股普遍低迷，美光累计下跌 27%。 新闻来源：半导体行业联盟，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
