2022技术风向？Wolfspeed/英飞凌/罗姆/安森美/中车等“大PK”

受疫情影响，PCIM Europe 时隔2年才重新举办线下会议。可能是“憋太久了”，这次的参展的碳化硅和氮化镓企业非常多，而且都在“放大招”。

在5月10-12日的 PCIM Europe 展会上，中车、斯达半导体、基本半导体、英诺赛科、瑞能半导体、利普思半导体等第三代半导体企业也重磅亮相，今天“三代半风向”就带大家“云”逛展，盘点一下最新的碳化硅技术。

5家中企亮相PCIM Europe
我们先来关注一下PCIM Europe展会上的“中国身影”。● 中车时代中车时代电气展示了50多款最新产品，包括SiC MOSFET和功率组件等解决方案。其中，中车的SiC模块采用了3.3kV SiC MOSFET和1.2kV 第二代SiC MOSFET芯片、通过体二极管续流，进一步降低了比导通电阻，最大限度提升了模块内部有源区面积。该模块采用直接水冷基板设计，通过高性能导热材料，进一步提高模块功率密度，满足复杂应用工况需求。● 基本半导体基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品首次亮相PCIM Europe。基本半导体产品包括：碳化硅晶圆、碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、汽车级全碳化硅功率模块、碳化硅驱动和IGBT驱动。

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● 斯达半导体斯达半导体除了展示了传统IGBT封装结构模块外，还重点展示了采用最新工艺的高可靠性碳化硅MOSFET模块产品。

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● 英诺赛科英诺赛科在展位上展示各种氮化镓器件和参考设计，该公司的器件电压范围从30V 到650V，用于从 USB PD 充电器/适配器到数据中心、手机等各种应用。他们还展示了与栅极驱动器公司 Heyday 和 MindCet 合作完成相关参考设计，还重点展示了与Silanna Semiconductor合作完成的具有 30 W/in3无外壳功率密度的65W 有源钳位反激 (AFC) 参考设计。该设计在 230 Vac 下可实现超过 94% 的效率水平，并且空载功耗低于 25 mW。● 瑞能半导体瑞能半导体携SiC Diodes和SiC MOSFETs，第三代肖特基二极管G3 SBD、第五代软恢复二极管 G5 FRD等多款旗舰产品重磅回归PCIM Europe展会，全方位展示行业领先的技术、产品应用和解决方案，和诸多业内伙伴共话智能制造行业在全球范围内的可持续发展。

（上下滑动查看图片） ● 利普思半导体利普思推出其 HPD 系列 SiC 功率模块，可用于电动汽车的牵引逆变器和电机。据介绍，HPD 系列由 1200 V、三相和水冷 SiC MOSFET 功率模块组成。它采用了专利的 Arcbonding 芯片表面连接技术，可确保可靠性、改善功率循环并降低静态损耗。Leapers 表示，其模块的“功率密度比主要竞争对手高20-30%”。

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Wolfseed、英飞凌、安森美、罗姆......联袂展示SiC新成果基本上，碳化硅器件、模块领域的国外大企业都出席了PCIM Europe，Wolfspeed、英飞凌、罗姆、三菱电机、日立等外资企业“齐聚一堂”，联袂展示他们的SiC新成果。● WolfspeedWolfspeed展示的最新产品包括：3.6kW 无桥图腾柱 PFC 、6.6 kW 高功率密度双向车载充电器、22kW 双向有源前端 (AFE) 转换器、22kW 双向 DC/DC 转换器、30kW 分立交错式 LLC DC-DC 转换器、600 kW XM3 高性能双三相逆变器、模块化碳化硅评估系统。同时他们还展示了即将推出的更先进的 1.7kV 汽车级碳化硅模块、首个汽车 E 系列裸片碳化硅 MOSFET 产品线等。● 意法半导体意法半导体公司推出了新的STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW 无桥图腾柱升压电路，通过浪涌电流限制器 (ICL) 实现数字功率因数校正 (PFC)。它使用最新的 ST 电源套件器件设计创新拓扑：碳化硅 MOSFET (SCTW35N65G2V)、晶闸管 SCR (TN3050H-12WY)、隔离式 FET 驱动器 (STGAP2S) 和 32 位 MCU (STM32F334)。该参考设计还为以 72 kHz 运行的紧凑型转换器开辟了道路，该转换器提供高峰值效率、低 THD 失真（97.5 % 和 3.7 % THD）并减少材料清单。它实现了一个强大的电路，符合高达 4 kV 的 EMC 标准，提供高开关寿命并降低 EMI 辐射。

（上下滑动查看图片）● 英飞凌英飞凌科技推出了基于M1H SiC MOSFET高压解决方案的扩展 CoolSiC 产品组合，提供 2 kV SiC MOSFET 以及 2kV SiC 二极管，适用于高达 1500 V DC 的应用。

（上下滑动查看图片）● 安森美安森美推出了全球首款TO-Leadless (TOLL) 封装的 SiC MOSFET，它拥有更小的尺寸（仅为9.90 mm x 11.68 mm）以及更好的热性能和更低的封装电感。NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封装的SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源(SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能。该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括ErP和80 PLUS Titanium能效标准。● 罗姆罗姆展示了第 4 代 SiC MOSFET：它在不牺牲短路耐用性的情况下实现了高达50% 的开关损耗降低和 40% 的导通电阻降低。最重要的是，最新一代提供更灵活的栅极电压范围 (15 -18V) 并支持零电压关断，可以使用具有单极电源的简单栅极驱动电路。由于未来对SiC半导体晶圆的需求将持续增长，罗姆计划扩大投资和产能。罗姆生产子公司 SiCrystal计划大力发展其产能和人力，中期目标是通过每年生产 100,000 个基板实现九位数的销售额。

 （上下滑动查看图片）● Qorvo/UnitedSiCQorvo 扩展了其 1200V 产品系列，并将其第 4 代SiC FET技术扩展到更高电压的应用。新型 UF4C/SC 系列 1200V 第 4 代 SiC FET 非常适合EV车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。新型 1200V SiC FET 实施了先进的 Ag-sinter 芯片贴装工艺，可提供卓越的热性能。。● 三菱电机三菱电机美国公司推出了一种新的碳化硅功率模块 FMF400DY-24B。这款400A、1200V 双 SiC MOSFET 模块包括一个反并联、低 Vf、零恢复损耗的 SiC SBD。该模块将新设计封装到当前行业标准尺寸 (62mm x 108mm) 中，用于医疗电源和一般工业应用。该模块专为 Vgs(on)=15V 设计，与标准 IGBT 栅极驱动器兼容，并可无缝集成到现有机械布局中，以便从 Si IGBT 技术轻松升级。● Power IntegrationsPower Integrations推出SCALE EV系列栅极驱动器板，可适用于英飞凌的EconoDUAL模块。该驱动器适用于原始、克隆和新的 SiC 方案，适用于 EV、混合动力和燃料电池车辆以及建筑、采矿和农业设备的大功率汽车和牵引逆变器。● 日立能源日立能源推出了其用于电动汽车的开创性功率半导体模块 RoadPak。这款紧凑型模块采用最先进的碳化硅技术，可实现卓越的功率密度水平，以实现更快的充电速度、车辆生命周期内的可靠性以及尽可能低的功率损耗以实现最长的行驶里程。

PCIM Asia 精彩继续

8月31日上海召开

8月31日至9月2日，PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会）将在上海新国际博览中心盛大举办。

作为全球电力电子顶尖展会PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia是一场在亚洲领先的电力电子国际展览会及研讨会。PCIM Asia自2002年进入中国，今年将迎来第21个年头，是中国少有的专注于电力电子领域的专业展览会。        

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2021届参展商多达102家，英飞凌、罗姆、东芝、三菱电机等众多知名大企更是PCIM Asia的忠实“粉丝”。

2022 PCIM Asia展览面积为10000平方米，预计观众人数将达到20000名专业观众，参展企业预计将达到150家公司，同时研讨会论文将超过70篇。

三菱电机、赛米控、富士电机、英飞凌和罗姆等企业再次成为PCIM Asia赞助厂商，他们将连同更多的参展企业，为观众呈献行业尖端的产品和解决方案，而许多厂商还将在展会上首次发布新品及最新技术。

8月31日至9月2日，PCIM Asia与您约定上海，与国内外知名电力电子厂商共发展，促合作。参展、参观请点下方“阅读原文”。