国产射频芯片的技术之争

随着唯捷创芯上市，国产射频芯片终局之战提前到来。

迟早，行业各方会冷静下来，思考出路和未来，少混乱，回归行业本质，理性客观地看待国内射频芯片的最终战斗。

技术和市场是国内最大的BU7487FV-E2射频芯片之战中最重要的两个战场。资本市场没有太多的时间为国内射频芯片创业，从3年到5年不等。如果它不能上市或被收购，它最终将面临退出。

技术纠纷。

在芯片行业，产品是技术和人才的体现，但技术不仅是人才的体现，也是时间和资金的体现。领先的芯片产品需要人才、时间和资本投资。只有这三个要素同时到位，才能获得技术竞争力。

技术优势和竞争力最终应该落在产品上，与产品交谈具有价值和意义。对于企业来说，无法实施的技术和无法转化为产品竞争力的技术并不是真正有意义的技术。

射频芯片技术在中国已经发展了近20年。从蹒跚学步到快速发展，离不开中国射频人的坚持和努力，离不开资本的青睐和支持。今天，中国射频前端芯片技术和产品全面推出，学习和追赶外国制造商。以下是对国内射频芯片技术和产品的总结:

2GPA/3GPA:自2006年以来，2GPA在中国已经大规模生产了16年，自砷化镓技术以来，CMOS技术已全部使用。国内射频芯片公司既便宜又好。

自2012年以来，3GPA一直在中国生产，砷化镓和CMOS技术共存，纯3G手机市场基本消失，PA没有市场空间。

Phase2/Phase5N:在4GPA中，Phase2架构是在MTK的领导下创新的，简称Phase2PA。这也是PA模块化的最早原型。采用基板技术，几种不同的DIE集成在一个包装中，采用不同的工艺集成PA和开关。国内射频芯片公司花了三年时间集中开发，迭代技术赶上了国外厂商。

然后在Phase2PA的基础上升级到Phase5N，进入5GPA行列，技术障碍不大。

L-PAMiF：Sub-6gHzuHBL-PAMiF设计PA难度大大提高，N77/78/79PA频率更高，带宽更宽，设计难度更大。同时，需要更高的功率和集成度来增加集成LNA和滤波器，导致更高的散热要求。2020年，中国领先的射频芯片公司开始大规模生产。到目前为止，已经实现了四种国产射频芯片的大规模生产，扩大了国内射频芯片公司之间的技术差距。

Pamid:5g手机sub-3gHzPA模块方案经历了Phase7到Pahse7L，将LNA整合到Pamid，成为目前应用最广泛的高集成L-Pamid模块方案；接下来，基于MHL-Pamid，EN-DC将从Phase7L演变为Phase7LE。

该产品在中国是空白的，集成了大量的滤波器。与L-PAMiF相比，集成度更高，研发难度更大。PAMID将进一步扩大国内射频芯片制造商之间的技术差距。

WiFiFEM:做WiFi4FEM容易，做WiFi5FEM也不难，但做WiFi6FEM并实现正常量产显然没那么容易。

WiFiFem已经进入WiFi6时代，包括2.4GHz、5GHz和6GHz。没有全频段覆盖，不叫WiFiFem；没有真正的WiFi6Fem技术，也不叫WiFiFem。随着WiFi7的到来，我们将开始开发WiFi7Fem。

Cat.1PA:Cat.1PA是Phase2PA的缩减版，技术相同。困难在于谁能降低尺寸和成本。

BTFEM:蓝牙FEM技术门槛低，采用CMOS技术，研发相对简单。市场很小，但国内BTFEM近10家。

UWBFEM:UWBFEM类似于BTFEM，采用CMOS工艺，无线性技术指标要求，功率要求不高，但频率为6G-9GHz，属于高频宽带。一般来说，技术并不难，技术也没有进化，完成后就结束了。中国做了多少？

基站PA:市场上关于基站PA的介绍很少，熟悉的PA公司也没有正式介入。技术太难还是市场太小？

基站PA分为宏基站PA和微基站PA，五年前被外国公司垄断。早期宏基站PA采用LDMOS工艺，现在70%的产品转化为氮化镓工艺。有一些技术难度，尤其是可靠性。微基站PA一般为10W，采用砷化镓工艺，技术难度相对较低。现在国内公司已经进入这个基站市场。

DiFEM/LFEM:该产品在国内领先，技术上没有问题，国产芯片在成本上也很有竞争力。

批次一致性是当前的挑战。如果没有SAW滤波器资源，基本上就不可能在这条轨道上生存。

Switch/LNA:开关和LNA已经成为射频前端芯片最基本的常规产品，将出现在各种芯片模块中。FEM有这种技术，中国有50多家公司有这种技术和产品。

滤波器：滤波器是中国射频芯片最需要突破的地方。滤波器的研发技术包括EDA、设计、工艺和包装技术。作为滤波器，建立自己的生产线已成为行业共识。

BAW/FBAR滤波器也会遇到专利问题，绕过国外专利将使国内射频芯片公司支付高昂的研发时间和费用。