EPC 宣布推出 Rad Hard 200V GaN FET

可用于要求苛刻的空间应用的低导通电阻器件

EPC 推出了 EPC7007 抗辐射 GaN FET；一个 200V、25 mΩ、80A 脉冲器件，占用面积仅为 5.76 mm2。

EPC7007 的总剂量等级大于 1 Mrad，对 LET 的 SEE 免疫为 85 MeV/(mg/cm2)。这些器件采用芯片级封装，与商用 eGaN FET 和 IC 系列相同。 EPC Space 将提供打包版本。

与具有类似 RDSon 的抗辐射硅器件相比，据说 EPC7007 的 QG 和 QGD 小 40 倍，零反向恢复 (QRR)。尺寸缩小了 40 倍。 EPC 表示，GaN 器件还支持比硅解决方案更高的总辐射水平和 SEE LET 水平。

受益于 EPC7007 的性能和快速部署的应用包括用于空间应用、卫星和航空电子设备的 DC-DC 电源、电机驱动、激光雷达、深探头和离子推进器。

“EPC 的 GaN 技术使新一代功率转换和电机驱动器在太空中以更高的频率、更高的效率和更高的功率密度运行，比以往任何时候都高”。 EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示：“EPC7007 为设计人员提供了一种品质因数比一流的硅辐射硬器件高 50 倍的解决方案。 “EPC7007 将我们的 rad hard 系列的电压范围扩展到 200 V，并为设计人员提供了比硅更小、成本更低的解决方案。

EPC7007 可用于工程样品，并将在 2022 年 12 月完全符合批量出货要求。