格芯Fab 8将为美生产45纳米关键国防芯片 落实美半导体关键芯片本土制造

格芯(GlobalFoundries)与美国国防部(DoD)已签订1项1.17亿美元芯片供货协议，将由格芯美国纽约州马耳他(Malta) Fab 8晶圆厂，为美国国防部生产应用于美国敏感国防及航太领域的芯片产品，首批芯片产品计划2023年开始交货。值此俄乌战事、美方扩大对乌克兰投入军事援助之际，格芯国防芯片供货协议，成为提供美国联邦政府国家安全至关重要的美国半导体制造新战略供应。

根据Evertiq报导，这项协议将为美国国防部提供基于格芯差异化45纳米SOI平台制程制造的半导体芯片。根据协议，这些芯片的制造将从格芯同样位于纽约州的Fab 10转移到格芯Fab 8厂进行，借此除了可为美国国防部提供持续的芯片供应服务，这项制程技术转移有助格芯在2019年4月宣布将纽约州Fab 10移转给安森美(onsemi)后，可持续提供商用客户45纳米SOI平台制程产品。

格芯CEOTom Caulfield表示，这项新供应和技术转移协议所展示强大公私部门合夥关系，是美国联邦政府在半导体制造合作与投资上，对强化美国本土供应链产生影响性一个很好的例子。不仅促进美国经济，同时也确保美国政府在航太、国防和其他关键任务应用中所需的战略性及可靠芯片供应。

责任编辑：张兴民