新一代SiC晶体生长炉，突破行业核心需求

2022年4⽉，恒普科技推出了SiC感应晶体⽣⻓炉的新⼀代技术平台，突破SiC⾏业晶体“⻓不快、⻓不厚、⻓不⼤”的3⼤缺点，解决了⾏业核⼼痛点。 

电动汽⻋的碳化硅⻋型的陆续密集推出，带动了当下SiC器件需求的井喷。在未来⼀段时间内，SiC衬底的供应依然⽆法满⾜市场的需求。

⽽当下国内主流的SiC晶体⽣⻓速度为0.1~0.2mm/h，晶体厚度为15~25mm，晶体尺⼨从4英⼨全⾯向6英⼨切换。国际上主流的SiC晶体⽣⻓的速度为0.2~0.3mm/h，晶体的厚度为30~40mm，晶体尺⼨由6英⼨转向8英⼨。 

⽆论是技术追赶，还是市场需求，在晶体质量（缺陷等）保证的前提下，把SiC晶体⻓快、⻓厚、⻓⼤，都是⾏业急迫需要解决的核⼼需求。

在这个背景下，恒普科技推出了新⼀代感应发热技术平台，并以新技术平台为基础，推出了2款感应式SiC晶体⽣⻓炉，能够解决SiC晶体“⻓不快、⻓不厚、⻓不⼤”的缺点。

新感应晶体⽣⻓平台特点（部分）：

1、全尺⼨

同时推出6英⼨、8英⼨的2款炉型，满⾜⾏业晶体尺⼨加⼤的需求。 

2、⽆籽晶托或超薄籽晶托 

⾃由热膨胀，利于应⼒的释放，减少由应⼒产⽣的缺陷。料区与籽晶区，更灵活的温度梯度调节。 

3、固定式⽔平线圈 

• ⽆需调节线圈的轴向移动，减少⼯艺变量，提⾼⼯艺稳定性。 

• 对籽晶区的温场做到更精细的调整，使温度更均衡。 

4、新热场 

• 装⼊更多原料，且利⽤率⾼。 

• 料区温度分布对⻓晶影响的敏感度下降。 

• 增加了蒸发⾯积，可在超低压⼒下⽣⻓。 

• 传质效率提⾼且稳定，降低再结晶影响（避免⼆次传质）。

• 减少边缘缺陷的扩径技术。 

• ⽣⻓后期，降低碳包裹物的影响。 

5、先进技术 

新炉型标准配置了温度闭环控制与⾼精度压⼒控制等先进技术。

a.温度闭环控制：SiC晶体在2000℃以上的⾼温下⽣⻓，对温度的稳定性要求极⾼，但由于SiC粉料挥发等原因，⽆法做到温度控制，⽽是采⽤功率控制（或温度控制+功率控制组合），恒普科技的新技术就解决了这个痛点。 

b.⾼精度压⼒控制：SiC晶体⽣⻓炉在晶体⽣⻓时，通常压⼒控制的波动在±3Pa,恒普科技的新技术可以将压⼒控制在±0.3Pa，提⾼了⼀个数量级。

宁波恒普真空科技股份有限公司是⼀家以材料研究为基础，以⾼温热场环境控制为技术核⼼的⾦属注射成形（MIM）领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商，主要从事⾦属注射成形（MIM）脱脂烧结炉、碳化硅晶体⽣⻓炉、碳化硅同质外延设备等热⼯装备的研发、⽣产和销售。