年报解读|Flash+ DRAM+ MCU三线成长 兆易创新正推进40nm车规级MCU产品量产

财联社4月29日讯（记者 李佳佳）产品结构不断升级，不断进军车规市场，2021年兆易创新（603986.SH）营收、净利增幅显著。公司相关人士对财联社记者表示，业绩增长得益于终端智能化需求和供应链本土化趋势越发明显，公司MCU产品在工业领域销售占比持续增长，有望在2022年与消费类应用持平，成为公司MCU产品第一大营收来源。

上述公司人士强调，目前，公司正在积极推进40nm车规级MCU产品量产，现已流片并进入客户测试，该产品将主要面向通用车身市场。

4月27日晚间，兆易创新披露2021年年报，公司2021年实现营业收入85.10亿元，同比增长89.25%；归母净利润23.37亿元，同比增长165.33%。公司同时公布的2022年一季报显示，公司共实现营业收入22.29亿元，同比增加39.02%；归母净利润6.85亿元，同比增加127.65%。

据了解，兆易创新的主要产品可以分为存储器产品、微控制器产品以及传感器产品。

2021年报显示，公司存储器业务收入54.50亿元，较上年度增幅66.04%。公司存储器产品包括闪存芯片（NOR Flash、NAND Flash）和动态随机存取存储器（DRAM）。

公司相关人士表示，公司持续在NOR Flash市场发力。中大容量NOR Flash客户群和覆盖面不断扩大；汽车和工业方向正在成为公司NOR Flash增长最快的应用领域。2022年，公司NOR Flash产品将根据客户需要，继续推进先进工艺制程迭代。24nm成为公司SLC NAND主要工艺节点之一，同时公司将对38nm车规产品积极进行市场开拓。

而在动态随机存取存储器（DRAM）领域，公司首款自有品牌DRAM产品已于2021年6月推出，量产首款 4Gb DDR4（19nm 制程）产品被广泛应用于消费电子（包括机顶盒、电视、智能家居等）、工业安防、网络通信等领域。

前述公司相关人士表示，公司规划中的DRAM产品包括DDR3、DDR4、LPDDR4，制程在1Xnm 级（19nm、17nm），容量在1Gb至8Gb。公司17nm DDR3 产品正在按计划有序推进中。公司也在规划高性能MCU，主要面向工业自动化、能源电力、安防消防等主流工业应用。公司还将分级分阶段逐步拓展ADAS、BMS等高门槛应用。

值得一提的是，微控制器产品（MCU）已经成为公司业绩增长最快的产品线，2021年实现营业收入24.56亿元，同比增长225.36%。MCU（微控制器）的应用领域几乎覆盖需要控制器的所有场景，前瞻产业研究院预计2026年全球MCU市场规模将增长至285亿美元，其中中国MCU市场规模将达到513亿元。

此外，2021年报显示，公司传感器营业收入为5.46亿元，同比增加21.36%。公司相关人士透露，2022年将持续升级指纹产品，推进OLED TP、dToF开发，持续探索非手机领域触控和指纹的应用机会。

安信证券研报表示，受益日益提升的产品性能、日趋丰富的产品体系及客户生态效应，兆易创新DRAM业务有望成为新的增长极。从Q1开局发展势头看，2022年全年业绩有望持续保持高速增长态势。