年产15万片！云南锗业磷化铟单晶片建设项目投产

昨（20）日，云南锗业发布公告，宣布“磷化铟单晶片建设项目”于近日正式投产。

Source：公告截图

该项目于2019年开始实施，项目实施主体为云南锗业控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“鑫耀半导体”），项目建成后将具备年产15万片4英寸磷化铟单晶片的能力。

云南锗业表示，该项目的投产将有利于公司内部新材料产业的发展，促进公司产业向深加工方向转型、升级，对公司长期、稳定发展有积极作用，对提升公司盈利能力也有积极的促进作用。

公司控股子公司鑫耀公司作为项目实施的主体，项目投产后将进一步丰富鑫耀公司在半导体材料领域的产品，有利于巩固和提升其产业基础，增强其核心竞争力。

据了解，云南锗业是国内目前锗产业链最为完整、锗金属保有储量最大、锗产品产销量最大的锗研发制造商。

该公司与中国科学院半导体研究所成立“半导体研究所光电半导体材料联合实验室”，并设立院士专家工作站，聘请中国工程院院士梁骏吾、专家惠峰、陈诺夫深度研究半导体材料、太阳能电池和光伏材料。

此前，云南锗业控股子公司鑫耀半导体还获得了华为哈勃的战略投资，持股23.91%。

据了解，鑫耀半导体主要从事半导体材料砷化镓及磷化铟衬底（单晶片）的研发、生产。

2019年8月，其试生产的6英寸砷化镓单晶片、4英寸磷化铟单晶片通过了华为海思现场核查验证。

2020年12月，鑫耀半导体宣布，将在原年产5万片2英寸磷化铟晶片生产线基础上，扩建年产15万片4英寸产线。

磷化铟（InP）单晶是光电子、微电子器件的关键材料。本项目产业化的实 施，符合国家产业政策导向，对于促进国防工业、航空航天工业、电子产业的发展具有重要的意义。

磷化铟晶片作为一种新型半绝缘晶片，对于改善和提高基微电子器件的性能具有重要的意义，既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性，同时铁浓度大幅降低，电学性质、均匀性和一致性显著提高，主要用于制作半导体材料以及光纤通信技术。

磷化铟的优势

（1）磷化铟具有高电子峰值漂移速度、高禁带宽度、高热导率等优点。InP 的直接跃迁带隙为1.34eV，对应光通信中传输损耗最小的波段；热导率高于GaAs，散热性能更好；

（2）磷化铟在器件制作中比GaAs更具优势。InP器件高电流峰谷比决定了器件的高转换效率；InP惯性能量时间常数是GaAs的一半，工作效率极限高出GaAs器件一倍；InP器件具有更好的噪声特性；

（3）磷化铟（InP）作为衬底材料主要有以下应用途径。光电器件，包括光源（LED）和探测器（APD雪崩光电探测器）等，主要用于光纤通信系统；集成激光器、光探测器和放大器等，是光电集成电路是新一代40Gb/s通信系统必不可少的部件。